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ZT-90型助聽器原理圖

CUI推出90A數字負載點模塊系列應對日益增多的先進IC供電

  •   CUI Inc宣布推出最高電流數字負載點POL系列產品NDM3Z-90,這些器件專為滿足現今最先進的集成電路產品快速增長的功率需求而設計,是一款采用超低側高垂直和水平封裝的非隔離型模塊,輸出電流為90 A。該產品系列提供基準電平,同時集成了一系列先進的數字特性,包括可編程輸出范圍、有源電流共享(active current sharing)、電壓排序、電壓跟蹤、同步和相位展開、可編程軟啟動和停止,以及大量監控功能。   NDM3Z-90采用Intersil最新的數字功率控制器ZL8801并利用其
  • 關鍵字: CUI  NDM3Z-90  

日置(HIOKI)新品 鉗形AC/DC傳感器

  • 日置(HIOKI)最新發售可測量交·直流的鉗形AC/DC傳感器CT9691-90系列。現在,針對電氣汽車和電動車所裝載電池等的研發競爭,各汽車公司都在削減開支。另外,從確保多用電源的觀點來看,太陽能發電系統的導入已步入正軌。并且對于各企業的服務器或數據通訊所必須的設備要設置的數據中心而言,正在推進電源的直流化對應。這些領域的直流電流測量是不可或缺的。
  • 關鍵字: 日置  CT9691-90  電流傳感器  

基于V.90的高速MODEM電路設計

  • 摘要:目前超短波通信設備絕大多數采用模擬通信體制,而模擬通信存在抗干擾能力弱、通信質量差、保密性不強等缺點,這些缺點嚴重制約了通信裝備性能的發揮和通信保障的順暢。針對上述問題,文章設計了基于V.90標準的
  • 關鍵字: 電路設計  MODEM  高速  V.90  基于  

-90度移相電路--可在0~-180度范圍內變化

  • 電路的功能“具有平坦頻率特性的plusmn;90度的移相電路”的移相電路只能在0~+180度范圍內移相,可使用CO與RO位置互換的-90度的移相電路。電路的工作原理基本工作原理與“具有平坦頻率特性的plusmn;
  • 關鍵字: 180  90  移相電路  變化    

可用10DB為單位選定40~90DB增益的可編程放大器電路

  • 電路的功能當用OP放大器進行高倍數AC放大時,若改變反饋電路的分壓比,使放大倍數改變,頻率特性也會大幅度地改變。本電路設有40、20、20、10DB增益固定的放大器,通過繼電器選用這些放大器,可使最大增益達90DB。本
  • 關鍵字: DB  10  40  90    

可在0~-180度范圍內變化的-90度移相電路

  • 電路的功能“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”的移相電路只能在0~+180度范圍內移相,可使用CO與RO位置互換的-90度的移相電路。電路的工作原理基本工作原理與“具有平坦頻率特性的±90度的移相電路”相同,只是改
  • 關鍵字: 180  90  變化  移相電路    

可用10DB為單位選定40~90DB增益的可編程放大器

  • 電路的功能當用OP放大器進行高倍數AC放大時,若改變反饋電路的分壓比,使放大倍數改變,頻率特性也會大幅度地改變。本電路設有40、20、20、10DB增益固定的放大器,通過繼電器選用這些放大器,可使最大增益達90DB。本
  • 關鍵字: DB  10  40  90    

泰科電子推出全新熱縮標識系列產品

  •   泰科電子宣布推出全新TMS-90-SCE熱縮標識系列產品。該系列產品能夠充分滿足從航空、國防、船舶、鐵路、公共交通到工業及電子等各行業領域對高性能電纜及線纜標記的需求。泰科電子TMS-90-SCE熱縮標識系列產品的推出,為高溫環境下的作業帶來了可靠的機械強度、長時間高溫防護,以及強大的高溫防水性能。   泰科電子TMS-90-SCE熱縮標識具備極高的耐用性,持久性。該產品所用材料為耐用、阻燃的輻射交聯熱縮均聚聚烯烴,適用溫度范圍為-55°C至+135°C。并且產品重量輕巧,收縮率
  • 關鍵字: 泰科  電子  TMS-90-SCE  熱縮標識  

瑞薩科技開發出90 nm工藝SuperH系列SH72546RFCC微控制器

  • 瑞薩科技公司宣布,開發出32位SuperH™*1 系列SH72546RFCC,這是業界第一個采用90 nm(納米)工藝并帶有片上閃存的微控制器,可用于汽車引擎、傳輸等控制程序的開發。樣品將從2007年10月開始在日本交付。 SH72546RFCC可在汽車應用所需的125℃的高溫工作環境下實現200 MHz的業界最高運行速度。此外,它還采用了業界最大的片上閃存容量,可以實現領先的高精度的控制。 SH72546RFCC適用于控制程序開發,2008年瑞薩科技將根據SH7
  • 關鍵字: 工業控制  瑞薩科技  90  nm  SuperH  工業控制  

普華永道:全球半導體市場增長90%歸功中國

  •   中國制造的電子系統推動2005年全球半導體消費增長90%。這種趨勢在2003年首次被發現并延續至今。這是普華永道 (PricewaterhouseCoopers) 對在該課題上中國的和其它公布的統計數據進行全面分析后得到的論斷。    《China's Impact on the Semiconductor Industry: 2006 Update》(《中國對半導體行業的影響:2006最新分析》)首次
  • 關鍵字: 90%  單片機  普華永道  嵌入式系統  全球半導體市場  增長  中國  

ARM發布基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP

  • ARM發布首款可即量產的基于TSMC 90納米工藝的DDR1和DDR2存儲器接口IP Velocity DDR存儲器接口獲得TSMC IP質量認證 ARM公司發布了其Artisan® 物理IP系列中的ARM® VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存儲器接口,支持TSMC的90納米通用工藝。ARM Velocity DDR1/2存儲器接口是第一個通過TSMC IP質量安全測試的9
  • 關鍵字: 90  ARM  DDR1  DDR2  IP  TSMC  存儲器  單片機  工藝  接口  納米  嵌入式系統  存儲器  

Stratix II FPGA:成功的90nm開發和推出案例研究

  • Stratix II FPGA:成功的90nm開發和推出案例研究
  • 關鍵字: Stratix  FPGA  II  90    
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