- 半導體設備大廠應用材料推出多項創新技術，協助客戶運用極紫外光（EUV）持續進行2D微縮，并展示業界最完整的次世代3D環繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術組合。芯片制造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統摩爾定律的2D微縮技術，使用EUV微影系統與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設計技術優化（DTCO）與3D技術，巧妙地藉由優化邏輯單元布局來增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網絡與環繞閘極晶體管，隨著傳統2D微縮技
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應用材料 EUV 2D微縮 3D環繞閘極 晶體管
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