- 依托在串行EEPROM技術領域的積累和沉淀，意法半導體率先業界推出了串行頁EEPROM （Serial Page EEPROM）。這款全新類別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨步業界，前所未有。意法半導體新的串行頁EEPROM產品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當的時候增加16Mbit 和 8Mbit 產品。這個創新架構讓設計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數據，這種組合在以前是沒有的。更高的存儲器集成度可以減少終端產品
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意法半導體 非易失性存儲器
- 基于不斷發展的硅技術的集成電路使得集成了若干模塊的復雜SoC的制造得以實現。最早的SoC是微控制器，其中包括...
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系統級芯片 納米晶 非易失性存儲器
- 隨著消費者要求新產品定期增加功能或提高應用靈活性，開發人員對修改系統應用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看，這預示著可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進產品更換現有產品。新一代非易失性
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非易失性存儲器
- 隨著消費者要求新產品定期增加功能或提高應用靈活性，開發人員對修改系統應用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看，這預示著可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進產品更換現有產品。新一代非易失性
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非易失性存儲器
- 本文對目前幾種比較有競爭力和發展潛力的新型非易失性存儲器做了一個簡單的介紹。鐵電存儲器(FeRAM)鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。 當前應用于存儲
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FeRAM MRAM OUM 非易失性存儲器
- 隨著消費者要求新產品定期增加功能或提高應用靈活性，開發人員對修改系統應用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看，這預示著可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進產品更換現有產品。新一代非易失性
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非易失性存儲器
- 在“VLSI Symposium on Technology”首日舉行的自由發表會“Will Emerging Non-Volatile Memories Finally Emerge?”(新型非易失性存儲器終會實現嗎?)上，東芝、韓國三星電子、韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)、美國美光科技(Micron Technology)以及臺灣臺積電(TSMC)等大型半導體廠商的負責人紛紛登臺，對非易失性存儲器技術的未來進行了展望。
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東芝 非易失性存儲器
- 世界黃金協會(WGC)日前出版了一期《黃金資訊》專刊，著重論述黃金在電子產品中的應用。這期專刊的內容包括對鍵合金線、電鍍等當前應用技術的探討，以及黃金在高端電子領域的一些新興應用。這些應用包括：使用黃金納米粒子來提高閃存設備容量，以及低溫金墨印刷應用。這期專刊的供稿者包括來自領先工業和學術中心的研究人員。請鍵入文字或網站地址，或者上傳文檔。
世界黃金協會工業總監兼《黃金資訊》編輯理查德·霍利迪博士(Richard Holliday)表示：“這期專刊凸顯了電子行業對于黃金
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電子 非易失性存儲器
- 隨著消費者要求新產品定期增加功能或提高應用靈活性，開發人員對修改系統應用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看，這預示著可能需要用性能更高、合格檢測更快的先進產品更換現有產品。新一代非易失性
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非易失性存儲器 可配置性
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導體產品開發商及供應商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32，提供具高速讀/寫性能、低電壓運行，以及出色的數據保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲器，工作電壓為2.7V至3.6V，采用8腳SOIC封裝，使用二線制 (I2C) 協議;并提供快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀/寫次數 (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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Ramtron F-RAM 非易失性存儲器 NoDelay SOIC
- 摘要：首先闡述Cypress公司的可編程片上系統(PSoC)的動態配置能力及其實現結構，概要地列出幾種對PSoC微控制器在系統編程（ISP）的方法；在此基礎上分析CY8C26443-24PI通過。
關鍵詞：可編程片上系統 在系統編程 閃速存儲器 非易失性存儲器 嵌入式微控制器
引言
隨著集成電路應用的飛速發展，片上系統的結構變的越來越復雜，這對嵌入式微控制器（Embedded MCU）的性能提出了更高的要求。和目前的16位甚至32位的微控制器相比，8位微
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可編程片上系統 在系統編程 閃速存儲器 非易失性存儲器 嵌入式微控制器 MCU和嵌入式微處理器
非易失性存儲器介紹
非易失性存儲器是斷電后仍然能夠保持數據的存儲器，這也是與易失性存儲器最大的區別。具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優點。 新型易失性存儲器分別為1.鐵電存儲器（FeRAM）2.磁性隨機存儲器（MRAM）3.相變存儲器（OUM）。 FeRAM、MRAM和OUM這三種存儲器與傳統的半導體存儲器相比有很多突出的優點，其應用遠景十分誘人。近年來，人們對它們的研究己取得了可喜的進展，尤其是FeRAM [
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