逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管（RC-LIGBT）由于高電流密度、小封裝成本等優點，成為了功率器件領域內主流器件之一，然而其會受到電壓折回現象的不利影響。本文提出了一種基于絕緣體上硅技術的RCLIGBT器件，將續流二極管集成在位于埋氧層下的襯底，利用埋氧層的隔離特性實現了IGBT與續流二極管之間的電學隔離，進而實現了完全消除電壓折回現象。
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逆導型橫向絕緣柵雙極晶體管 電壓折回現象 絕緣體上硅 導通壓降 關斷損耗 202009
馮?堃，張國俊，王姝婭，戴麗萍，鐘志親（電子科技大學?電子科學與工程學院，成都611731） 摘?要：介紹了一種增大質量塊設計的三軸MEMS加速度計。該加速度計基于絕緣體上硅（SOI）硅片，采用雙面光刻、干法刻蝕的工藝，利用了部分SOI硅片的底層硅部分來增大加速度計的質量塊，設計了基于單一米字形質量塊的三軸MEMS電容式微加速度計。根據不同的外界加速度對器件產生的不同位移，研究了在三個軸向的加速度計的靈敏度，同時分析了加速度計的交叉軸耦合的影響。最后結合Ansys仿真結果得出：所設計的微加速度計具有
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202005 微機械系統 三微加速度計 高靈敏度 絕緣體上硅
絕緣體上硅介紹
絕緣體上硅（SOI，Silicon-on-insulator）被業界公認為納米技術時代取代現有單晶硅材料的解決方案之一，是維持 Moore 定律走勢的一大利器。絕緣體上硅是指以“工程化的”基板代替傳統的體型襯底硅的基板技術，應用于諸如軍事和空間電子系統等一些專門場合已有20多年，由于SOI具有良好的抗輻射性和高速特性，使它在這些領域具有獨特的優勢。 SOI 材料是 SOI 技術發展的基礎，S [
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