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多電平單元 文章 進入多電平單元技術社區

ST推出裸片最小的1-Gbit和512-Mbit 65nm多電平單元NOR閃存

  •   ST推出了一個采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產品?;诘谒拇嚯娖絾卧?MLC)技術,65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現有的90nm PR系列NOR閃存,為客戶升級現有系統提供了一條捷徑,同時還提高了存儲密度和產品性能。   為滿足移動應用市場對高分辨相機、多媒體內容和快速聯網的需求,新的65nm PR系列閃存的突發讀取速度達到133MHz,編程速度達到1.0-MB/s,支持深關斷睡眠模式,采用1.8V電源電壓。這個先進的NOR閃存系列產品與LPSDRAM、L
  • 關鍵字: 65nm  NOR閃存  ST  單片機  多電平單元  裸片最小的1-Gbit和512-Mbit  嵌入式系統  
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