ST推出了一個采用65nm制造工藝的PR系列NOR閃存產品。基于第四代多電平單元(MLC)技術，65nm PR系列閃存的軟硬件兼容現有的90nm PR系列NOR閃存，為客戶升級現有系統提供了一條捷徑，同時還提高了存儲密度和產品性能。

　　為滿足移動應用市場對高分辨相機、多媒體內容和快速聯網的需求，新的65nm PR系列閃存的突發讀取速度達到133MHz，編程速度達到1.0-MB/s，支持深關斷睡眠模式，采用1.8V電源電壓。這個先進的NOR閃存系列產品與LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存儲器芯片以共享總線或分用總線的配置組裝在一起，以多片封閉(MCP)和層疊封裝(PoP)解決方案的形式提供給廣大用戶。

　　“通過進軍65nm蝕刻工藝，意法半導體提供了一個極具競爭力的解決方案，為OEM融入設計高密度NOR閃存解決方案增加了一個新的選擇，”Semiconductor Insights公司存儲器產品首席分析師Geoff MacGillivray表示，“與主要競爭產品相比，裸片尺寸50.8mm²的ST 1-Gbit MLC NOR閃存是市場上最小  
的閃存芯片，創造了20.16-Mbit/mm²的最高Mbit/mm²存儲密度。單元尺寸也非常小，僅為0.042µm²。”

　　“1000兆位單片存儲器采用65nm多電平單元制造技術，有助于提高系統性能，增強最終用戶的使用體驗，”意法半導體無線NOR閃存產品部副總裁兼總經理Marco Dallabora表示，“512兆位的65nm NOR閃存芯片是簡易的ST 90nm PR系列升級解決方案，目前該芯片已集成到現有的高性能平臺內。” 

　　65nm PR系列是意法半導體與英特爾于2005年12月宣布的合作計劃的一部分，這項目前還在進行的合作計劃的目的是為客戶提供最新的高性能產品，并提供多貨源的采購靈活性。

　　新產品樣片現已上市，擬定于2007年上半年開始量產，256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit閃存與PSRAM、LPSDRAM和NAND存儲器芯片的堆疊封裝產品的預算價格估計在10美元到30美元之間。