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原子層沉積 文章 進入原子層沉積技術社區

建設高端半導體裝備,SRII賦能新一代集成電路制造

  • 思銳智能攜業界尖端的離子注入(IMP)和原子層沉積(ALD)技術亮相SEMICON China 2024,持續建設全球一流的高端半導體制造裝備,廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多高精尖領域。展會現場精彩瞬間思銳智能離子注入機(IMP)模型根據SEMI的數據,受芯片需求疲軟等影響,2023年全球半導體設備銷售額為1056億美元,同比下降1.9%,而中國大陸地區半導體設備銷售額同比增長28.3%。中國對成熟節點技術表現出了強勁的需求和消費能力。縱觀全局,離子注入已成為半導體器件制備中最主要的摻雜方法,是最基
  • 關鍵字: 高端半導體裝備  SRII  集成電路制造  思銳智能  SEMICON China  離子注入  IMP  原子層沉積  ALD  

創新,引領未來

  • 原子層沉積(ALD, Atomic Layer Deposition)工藝,是當前及未來工藝節點相關的收縮及更復雜器件幾何形狀上沉積薄層材料的關鍵技術。如今,隨著技術節點以驚人的速度持續進步,精確而又高效地生成關鍵器件特征成為了一項持久的挑戰。 原子層沉積工藝依靠專業的高性能原子層沉積閥在數百萬個脈沖中輸送精確的化學品劑量,構建形成材料層。為了達到原子級精密度和高生產良品率,輸送這些脈沖式化學品劑量的閥門必須日益精確且一致。世偉洛克一直致力于此,不斷刷新ALD閥使用壽命、響應時間、高溫高流量應用
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原子層沉積介紹

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