三菱電機(www.MitsubishiElectric-mesh.com)今日在上海世博展覽館舉行的PCIM 亞洲 2017展會中隆重登場(三菱電機展位號:E06)，所展出的十款新型功率器件大受觀眾歡迎，不斷吸引觀眾前來參觀了解三菱電機最新的技術、產品和優勢。 三菱電機以“創新功率器件構建可持續未來”為主題，今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業應用和新能源發電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品，其中第7代IGBT模塊更首次作
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三菱電機 功率器件
東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司近日宣布推出最新產品“TPD4207F”，擴大其小型封裝高壓智能功率器件(IPD)產品陣容，該產品適用于空調、空氣凈化器的風扇電機和泵等各類產品。新IPD采用小型“SOP30”表面貼裝型封裝，實現更大的額定電流(5A)和600V的高電壓。量產出貨即日啟動。 該新IPD利用東芝最新MOSFET技術——600V超結MOSFET“DTMOSIV系列”，有效減小功率損耗，實現5A額定電流。這一電流足以驅動冰箱的壓縮機電機，這是現有IPD無法做到的，因此新IPD的應用范
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東芝 功率器件
IGBT驅動電路的作用： IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、安全工作的前提，驅動電路起到至關重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷。 ?
? IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平
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IGBT 功率器件
功率集成電路器件的產地正發生著重大改變。過去10年來，中國、歐洲和東南亞地區的功率器件制造業取得迅猛發展，而北美地區則逐漸走下坡路。
在市場機遇方面，隨著電池供電與互聯消費產品及電動車的涌現，功率器件需求預計將更加強勁。如下方圖片所示，中國的智能手機需求增長與功率集成電路消費趨勢相符。未來，中國有望成為半導體器件包括功率器件主要的設計與制造來源。
目前，中國的功率器件制造產業尚處于早期階段。在初始階段，中國制造的主要是簡單的二極管和功率MOSFET。批量制造如IGBT等更加復雜精細的功率器
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功率器件 集成電路
本文介紹了中國功率器件制造業未來發展所擁有的環境優勢以及政策優勢，分析了中國功率器件未來發展的廣闊前景。
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功率器件 產能 政策 201705
新型功率器件、封裝或材料都是為了提高電源能效和功率密度。安森美半導體非常注重新技術的開發與新材料器件的應用，能同時提供氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC) 寬帶隙(WBG)器件，目前SiC二極管已經量產并且廣泛應用于工業、太陽能逆變器等領域，SiC MOS 和新一代的GaN MOS 也在開發中，不久就會發布。
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安森美 光伏 功率器件 光伏逆變器
全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司(“華虹半導體”或“公司”，連同其附屬公司，統稱“集團”，股份代號：1347.HK)今天宣布，公司功率器件平臺累計出貨量已突破500萬片晶圓。其中，得益于市場對超級結MOSFET(“金氧半場效晶體管”)和IGBT(“絕緣柵雙極型晶體管”)的強勁需求，華虹半導體獨特且具競爭力的垂直溝槽型Super Junction MOSFET(“SJNFET”)以及場截止型IGBT累計出貨量分別超過了200,000片和30,000片晶圓，并保持
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華虹半導體 功率器件
在智能化 、網絡化的當下時代，各種新型電子產品層出不窮，而在各電子產品中，電源模塊一直都是不可避免的課題，隨著新材料和新工藝不斷涌現、不斷發展，電源模塊的的各方面性能也不斷得到完善。本次專題就功率器件、光伏和隔離器三個方面，邀請業內專業人士共同探討電源的發展和革新。
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電源 功率器件 光伏 隔離器 201704
日本電子零組件廠村田制作所(Murata)，于2017年3月17日宣布簽約購并美國半導體新創企業Arctic Sand Technologies，收購程序估計將在4月上旬完成，據日本經濟新聞(Nikkei)網站報導，購并金額約70億日圓(約6,200萬美元)。
這次購并的目的，在于村田打算轉換事業重點，村田目前總營收約60%源自智慧型手機相關零組件，但智慧型手機的市場成長率逐漸趨緩，連帶影響村田的事業成長，在短期內難以看到手機市場重回先前的高速成長狀態，村田必須培養其他重點事業。
在Son
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村田 功率器件
通信、汽車驅動市場增長，國有品牌競爭力提升
市場規模繼續擴大，增速較2015年有所回升
2016年，中國電子信息制造業生產總體平穩，增速有所加快，受此影響，中國功率器件市場規模持續擴大，市場規模預計達到1496.1億元，同比增長7.2%，增速較2015年有所回升。
通信、汽車成為2016年市場增長亮點
從下游應用產品的需求來看，通信和汽車領域是推動功率器件市場增長的主要驅動力。
從通信主要產品產量來看，1-10月，我國生產手機17億部，同比增長19.9%，其中智能手機12
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功率器件 GaN
風能、太陽能等新能源均需經過電力電子變換才能接入電網，隨著新能源發電量的逐年攀升，市場對電力電子變換器的要求朝著大功率、高頻率、低損耗的方向快步前進。作為傳統電力電子變換的開關器件，Si IGBT已難以滿足需求，而新型半導體器件SiC MOSFET具有更好的性能，被普遍認為是新一代的功率器件。 對于電力電子變換器而言，SiC MOSFET可作為開關器件使用。而在電力電子變換器中，升降壓斬波電路是最基本的電路結構，以此為基礎可擴展出各類電力電子變換器。因此，這里以升壓變換
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功率器件 Boost
據報道，共同研究室預計將于2017年3月底前后設置、最初由總計10名左右的研究人員參加。該研究室力爭將“氮化鎵”這種物質運用在控制電流的新一代半導體功率器件等中。
據了解，“氮化鎵”是天野研發的獲諾貝爾獎的藍色發光二級管(LED)的材料。該研究室力爭把名古屋大學研制氮化鎵結晶的技術與該機構調查物質性質的技術相結合，加快研發進程。
天野是小出在名古屋大學念書時低一屆的學弟。兩人在名城大學終身教授赤崎勇(2014年分享諾貝爾物理學獎)門下一同進行
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氮化鎵 功率器件
摘要：分析新型SiC功率器件在實際應用中的基本特性，以升壓斬波電路為載體，通過理論分析對SiC MOSFET柵極電阻對開關特性的影響，以及開關頻率與傳輸效率的關系進行了闡述。同時，以SiC MOSFET功率器件為核心搭建
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功率器件 升壓斬波電路 柵極電阻
本文為您詳細介紹直流電機驅動設計需要注意的事項，低壓驅動電路的簡易柵極驅動、邊沿延時驅動電路圖解及其設計思路。
以上是直流電機驅動電路圖，下面為您詳細介紹直流電機驅動設計需要注意的事項，低壓驅動電路的簡易柵極驅動、邊沿延時驅動電路圖解及其設計思路。
一、 直流電機驅動電路的設計目標
在直流電機驅動電路的設計中，主要考慮一下幾點：
1. 功能：電機是單向還是雙向轉動?需不需要調速?對于單向的電機驅動，只要用一個大功率三極管或場效應管或繼電器直接帶動電機
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PWM 功率器件
三菱電機今年繼續以“創新功率器件構建可持續未來”為主題， 攜帶八款新型功率器件，在今天正式亮相PCIM Asia 2016(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)，受到廣大參觀者的一致好評，參觀者們紛紛在三菱電機展臺拍照留念，三菱電機再次向公眾展示其在功率半導體市場上的非凡實力(三菱電機展位號：B15)。
今年展出的功率器件應用范圍跨越四大領域，包括：變頻家電、軌道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業和新能源發電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。
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三菱電機 功率器件
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