- 12 月 11 日消息，美國商務部周二表示，作為2022 年《芯片和科學法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。該機構表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達荷州投資 250 億美元用于新工廠，并創造約 20,000 個新工作崗位。美國商務部還表示，美光將根據某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務部還宣布已與美光科技達成初步協議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
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- 7 月，處在 2024 年中，不僅是上下半年的過渡期，也是整個半導體產業由衰轉盛的過渡期，因為行業正在從 2023 年的低谷期向上走，根據各大市場研究機構統計和預測，2024 上半年依然處于恢復期，下半年的行情會比上半年好很多。在這種情況下，處于年中過渡期的 6、7 月份，受多種因素影響，也成了多事之秋，特別是芯片制造，訂單和制造產線轉移輪番上演，芯片價格也隨之變化。晶圓代工轉單加劇臺積電最新財報顯示，2024 年第二季度以客戶總部所在地劃分，北美占比仍然最大，達到 65%，中國大陸市場則急速拉升至 16
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- 5 月 27 日消息，此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發熱和功耗問題而受到影響。不過據韓媒Business Korea 報道，三星電子發布聲明否認了相關報道，該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進行 HBM 芯片測試過程”，同時強調“他們正與其他商業伙伴持續合作，以確保產品質量和可靠性”。三星最近開始批量生產其第五代
HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產品。在目前已量產的
H
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- 2 月 5 日消息，據報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態電路峰會上推出多款尖端內存產品。除了之前公布的 GDDR7 內存（將在高密度內存和接口會議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發布一款超高速 DDR5 內存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術開發，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關于將在峰會上發布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引
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- 10月10日消息，因受到全球芯片供應持續過剩的影響，三星電子的“搖錢樹”業務第三季度可能出現巨額虧損，營業利潤預計將較上年同期下降80%。作為全球最大的內存芯片、智能手機和電視制造商，三星電子將于周三公布第三季度初步業績。LSEG SmartEstimate對19位分析師進行的調查顯示，在第三季度，三星電子的營業利潤可能降至2.1萬億韓元（約合15.6億美元）。相比之下，去年第四季度的營業利潤為10.85萬億韓元（約合80億美元）。三星營業利潤大幅下滑的原因是，由于內存芯片價格未能像部分人預期的那樣迅速回
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- 7月6日消息，據分析師預測，三星電子公司第二季度營業利潤可能會較上年同期下滑96%，為14年來最低水平。理由是，盡管供應有所減少，但芯片供應過剩仍在繼續導致這家科技巨頭的“搖錢樹”出現巨額虧損。金融研究機構Refinitiv SmartEstimate對27位分析師進行的一項調查顯示，作為全球最大的內存芯片、智能手機和電視制造商，三星今年第二季度的營業利潤可能降至5550億韓元（約合4.26億美元）。如果分析師們的預測準確，這將是三星自2008年第四季度以來的最低營業利潤，當時三星電子公布了約7400億韓
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- 臺積電明年就要宣布量產3nm工藝，這是當前最先進的半導體工藝，然而3nm這樣的工藝不僅成本極高，同時SRAM內存還有無法大幅微縮的挑戰，國產半導體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首顆商用存內計算SoC。存內計算是一種新型架構的芯片，相比當前的計算芯片采用馮諾依曼架構不同， 存內計算是計算與數據存儲一體，可以解決內存墻的問題，該技術60年代就有提出，只是一直沒有商業化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內計算SoC芯片，擁有高算力存內計算核，相對于NPU、DSP
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- 內存工藝進入20nm節點之后，廠商的命名已經發生了變化，都被稱為10nm級內存，但有更細節的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。 在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開始用EUV光刻工藝，但是代價就是成本高。而美光前不久搶先宣布的量產1β內存芯片則沒有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機。 不使用EUV光刻，美光在1β內存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實現了35%的存儲密度提升，同時省電15%。
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- 本周美光宣布，采用全球最先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產準備。 1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。 一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。 這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
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- 據外媒最新消息稱，Intel可能出售內存芯片業務，而接盤者是SK海力士，價格是100億美元。報道中提到，這家半導體巨頭將對自己進行重新定位，遠離一個具有歷史重要性、但正日益受到挑戰的領域。消息人士稱，這兩家公司正就上述交易展開討論，最快可能會在周一宣布，前提是雙方之間的談判不會在最后時刻破裂。目前尚不清楚這筆交易的細節信息，如SK海力士具體將收購什么業務等。Intel旗下內存芯片部門生產NAND閃存產品，主要用于硬盤、拇指驅動器和相機等設備。由于閃存價格下跌的緣故，Intel一直都在考慮退出這項業務。雖然
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- 據外媒報道，新冠病毒的全球大流行推動了在家辦公的浪潮，這種轉變勢必會提振筆記本電腦制造商以及數據中心對三星電子內存芯片的需求。但與此同時，由于疫情削弱了消費電子產品的銷售，三星電子第一季度的利潤可能會保持不變。
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- 據外媒報道，加州理工大學的研究人員們，已經開發出了一款能夠以“光的形式”、“納米級速度”存儲量子信息的計算機芯片。這標志著量子計算機和網絡的一項最新突破，在更小的設備上實現更快的信息處理和數據傳輸。傳統計算機系統中的內存部件，只能將信息以“0”或“1”的形式存儲。盡管仍處于實驗階段，但量子計算機的基本原理還是一樣的，即以“量子比特”來存儲數據 —— 除了&ld
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- 2014年4月25日市場研究機構IHS稱，2013年的全球半導體收入增長了5%，其中表現最好的是內存芯片產品。
2013年半導體總收入達到3181億美元，較2012年的3031億美元增長5%，有效扭轉了這個行業的發展趨勢。2012年的半導體收入比2011年的3106億美元減少2.4%。
規模最大的25家芯片廠商的營收總和達到2253億美元，占整個行業總收入的71%。營收最高的芯片廠商是英特爾，其2013年的營收為470億美元，對應的市場份額為15%。
IHS的副總裁戴爾福特(Dale
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- 7月5日消息，由于中國廉價平板、智能手機需求增長，由于中國移動設備商的出現，東芝、海力士等內存商終于擺脫了倒霉運，開始收獲金錢了。
在高端產品領域，盡管市場增速沒過去那么快了，但是，這些設備渴望裝上更大的內存，也會刺激內存銷售的增長。
兩種趨勢之下，加上2011年以來內存商縮減投資，DRAM(動態隨機訪問存儲器)和NAND內存芯片價格已經開始回升，在廠商面前，內存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價能力。
I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
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- 臺系廠商部分，力晶(5346)營收季成長有38%，主要受益標準型記憶體價格回升，加上代工業務穩定成長，同時出售子公司瑞晶的股份，對力晶的財務狀況有明顯的挹注;南科(2408)、華亞科(3474)則拉高非標準型記憶體的產出量;華邦電(2344)投片的比例也逐漸轉往Flash產品，未來預計將持續減少DRAM投片。
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內存芯片介紹
簡單地說:內存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片!
根據品牌的不同,所采用的芯片亦有所區別,具體的識別辦法是:
具體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。
第2位——芯片類型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [
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