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臺積電開發(fā)N4e制程滿足物聯(lián)網(wǎng)需求，另提升特殊制程產(chǎn)能50%

  • 臺積電年度技術(shù)論壇的歐洲場，向客戶展示N4e新型低功耗節(jié)點，并未出現(xiàn)過藍圖。 臺積電表示，幾年內(nèi)將把特殊制程晶圓廠產(chǎn)能提高50%。Anandtech報道，臺積電計劃「四至五年」內(nèi)，將特殊制程晶圓廠產(chǎn)能大幅提高50%，修改晶圓廠空間，建造Greenfield新晶圓廠。 臺積電將興建低功耗4納米節(jié)點，稱為N4e，臺積電官方藍圖將N4e加入N4P和N4X行列。尚不清楚 N4e 工藝可能有哪些客戶或應(yīng)用使用，但可能專門給物聯(lián)網(wǎng)和其他需要消耗電力的設(shè)備。 通常應(yīng)用都采成熟制程，因相對廉價設(shè)備用先進制程成本太高。 臺
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Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

  • 這幾年，Intel以空前的力度推進先進制程工藝，希望以最快的速度反超臺積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計劃實現(xiàn)其“四年五個制程節(jié)點”的目標，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計，最多288個。In
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全球2nm晶圓廠建設(shè)加速！

  • AI強勢推動之下，先進制程芯片重要性日益凸顯。當(dāng)前3nm工藝為業(yè)內(nèi)最先進的制程技術(shù)，與此同時臺積電、三星、英特爾、Rapidus等廠商積極推動2nm晶圓廠建設(shè)，臺積電、三星此前曾規(guī)劃2nm芯片將于2025年量產(chǎn)，Rapidus則計劃2nm芯片將于2025年開始試產(chǎn)。隨著這一時間逐漸臨近，全球2nm晶圓廠建設(shè)加速進行中。2nm晶圓廠最快年內(nèi)建成？近期，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）對外表示，預(yù)計臺積電與英特爾兩家大廠有望今年年底之前建成2nm晶圓廠。其中英特爾有望率先實現(xiàn)2nm芯片商用，英特爾PC CPU
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3納米制程受追捧！

  • 據(jù)中國臺灣媒體報道，臺積電3納米訂單動能強勁，受到蘋果、英特爾及超威等客戶頻頻追單。從三大廠商下單狀況來看。報道稱，作為臺積電2024年3納米的新訂單來源之一，英特爾Lunar Lake中央處理器、繪圖處理器等確定將于第2季在臺積電投片量產(chǎn)，而這也是英特爾首度將主流消費性平臺全系列芯片交由臺積電代工。此前，英特爾CEO帕特·基辛格證實，與臺積電的合作已由5納米制程推進至3納米。基辛格表示，最快2024年第四季登場的Arrow Lake與Lunar Lake的運算芯片塊（CPU tile）將采用臺積電3納米
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2納米先進制程已近在咫尺！

  • 近日，IC設(shè)計大廠美滿電子（Marvell）宣布與臺積電的長期合作關(guān)系將擴大至2納米，并開發(fā)業(yè)界首見針對加速基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化的2納米半導(dǎo)體生產(chǎn)平臺。目前，行業(yè)內(nèi)最先進的先進制程量產(chǎn)技術(shù)是3納米工藝，由三星電子和臺積電制造。隨著英特爾拿下ASML的首臺光刻機并更新最新代工版圖，以及Rapidus與IBM合作日益密切，目前2納米先進制程的競爭者以明顯擴大為臺積電、英特爾、三星、Rapidus、Marvell五家。據(jù)悉，目前上述五家大廠2納米的問世時間基本都規(guī)劃在了2025年，同時結(jié)構(gòu)方面都選擇了GAA。Marve
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臺積電先進制程／封裝擴產(chǎn)持續(xù)，全臺北中南大規(guī)模建廠

  • 臺積電不只海外擴產(chǎn)，中國臺灣也持續(xù)進行，董事長劉德音承諾，中國臺灣投資持續(xù)進行，目前市場消息，除了2納米廠及先進封裝廠，接下來更先進1納米也將興建八至十座工廠，因應(yīng)市場需求。2納米廠部分，因高性能計算與智能手機需求強勁，原規(guī)劃兩座2納米廠的高雄將再增一座，三座2納米廠量產(chǎn)后，高雄將成為臺積電2納米重要基地。最早規(guī)劃2納米廠的新竹寶山，四座廠依市場需求再規(guī)劃2納米，加上近期通過都審，6月?lián)芙o臺積電用地中科也有2納米廠，屆時2納米將全面爆發(fā)，滿足市場需求。2納米N2制程采納米片（Nanosheet）電晶體結(jié)構(gòu)
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晶圓代工：1nm芯片將至

  • 生成式AI強勁需求推動之下，不僅高性能AI芯片廠商持續(xù)受益，晶圓代工領(lǐng)域也嘗到了先進制程帶來的甜頭，進而持續(xù)瞄準2nm、1nm等制程芯片生產(chǎn)。近期，晶圓代工廠商先進制程布局再次傳出新進展。1nm 2027年投入生產(chǎn)？近期，英特爾對外表示Intel 18A將于今年年底量產(chǎn)。為推銷該工藝節(jié)點，韓媒表示英特爾執(zhí)行長Pat Gelsinger去年會見韓國IC設(shè)計公司高層，以爭取商機。Intel 18A之后，英特爾還將積極瞄準更先進的制程工藝。據(jù)悉，英特爾近期對外公布了Intel 14A（1.4nm制程）路線，但未
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英特爾 CEO：18A 制程優(yōu)于臺積電的 2nm

  • 英特爾的先進制程發(fā)展腳步越邁越大。
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高通、英偉達、AMD、特斯拉等先進制程芯片，花落誰家？

  • 蘋果、英偉達、AMD、高通和聯(lián)發(fā)科等都采用臺積電半導(dǎo)體制程生產(chǎn)最新芯片，部分芯片可能采用三星晶圓代工，但通常不是旗艦。 隨著三星過去幾個月良率提升，三星非常希望拿下部分訂單，例如3納米GAA制程。之前市場消息，高通Snapdragon 8 Gen 4可能采用雙代工廠策略，也就是同時采用臺積電的N3E制程技術(shù)和三星的SF3E制程技術(shù)。不過，目前高通和聯(lián)發(fā)科都計劃采用臺積電第二代3納米制程技術(shù)（N3E），制造Snapdragon 3 Gen 8和天璣4的芯片，并沒有所謂的雙來源計劃。三星在2022年6
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三大晶圓代工巨頭先進制程新進展

  • 近期，英特爾執(zhí)行長基辛格表示，英特爾可如期達成4年推進5世代制程技術(shù)的目標。Intel 7制程技術(shù)已大量生產(chǎn)，Intel 4制程也已經(jīng)量產(chǎn)，Intel 3制程準備開始量產(chǎn)，Intel 20A制程將如期于2024年量產(chǎn)，Intel 18A制程將是5世代制程目標的終極制程，已確定相關(guān)設(shè)計規(guī)則。在AI、高性能計算等新興技術(shù)驅(qū)動下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進制程重要性日益凸顯，吸引臺積電、三星、英特爾積極布局。臺積電方面，該公司N3X、2nm工藝計劃2025年進入量產(chǎn)階段。臺積電介紹，公司將在2nm制程節(jié)點首度使用
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3納米市占超車美國對手 中砂拼先進制程 明年靚

  • 再生晶圓暨鉆石碟大廠中砂6日舉辦法說會，發(fā)言人李偉彰副總指出，公司于研發(fā)階段便與客戶共同投入研發(fā)，過往持續(xù)擴增實驗室規(guī)模，于客戶先進制程逐漸斬獲成效，于3納米制程已經(jīng)獲得7成之市占，彎道超車美國競爭對手。李偉彰強調(diào)，未來在2納米甚至更先進制程，皆不會落下；伴隨線徑微縮極致的追求，耗材使用壽命只會愈來愈短，對耗材供應(yīng)系一大利多。 中砂第三季營收獲利逐步回溫，自第一季低點之后、逐季好轉(zhuǎn)，其中毛利率站回3成之水平，達到32％，營益率也回到17％，稅后純益達2.92億元，單季每股稅后純益（EPS）2.02元；前三
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先進制程之戰(zhàn)：三星/英特爾/臺積電動態(tài)跟蹤

  • 近期，三星電子旗下晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry 透露，已開始跟大型芯片客戶接洽，準備提供1.4nm及2nm制程的服務(wù)。據(jù)朝鮮日報報道，對于三星率先量產(chǎn)3nm（環(huán)繞式閘極，gate-all-around，GAA）制程、大客戶方面卻不如臺積電的言論，Samsung Foundry科技長Jeong Ki-tae近日在韓國國際會議暨展示中心（COEX）舉行的2023年半導(dǎo)體博覽會（Semiconductor Expo 2023）表示，晶圓代工客戶大約需要3年才能做出最終購買決定。三星正在跟大
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三大先進制程代工廠的路線圖

  • 據(jù)集邦咨詢報道，臺積電、三星、英特爾等尖端制程代工廠紛紛發(fā)布 2nm 及以上制程路線圖，凸顯下一代 GAA 技術(shù)領(lǐng)先地位的開發(fā)競爭加速。大型晶圓廠的前沿工藝路線圖。請注意，這是 TrendForce 根據(jù)各公司公布的計劃創(chuàng)建的，不一定完全如圖所示（來源：TrendForce，截至 2023 年 9 月）臺積電將于 2025 年在寶山工廠開始量產(chǎn) 2nm 工藝關(guān)于產(chǎn)業(yè)龍頭臺積電，集邦科技將于 2024 年第二季開始在中國臺灣新竹科學(xué)園區(qū)寶山地區(qū)（新竹縣寶山鄉(xiāng)）的工廠安裝量產(chǎn) 2 納米（N2）制程的制造設(shè)備。
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晶圓代工大廠角逐先進制程迎新進展！

  • AI、高性能計算等新興技術(shù)驅(qū)動下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進制程重要性日益凸顯。近期，產(chǎn)業(yè)迎來新進展：英特爾宣布Intel 4制程節(jié)點已大規(guī)模量產(chǎn)。與此同時，臺積電、三星同樣在積極布局先進制程技術(shù)。英特爾Intel 4制程節(jié)點已大規(guī)模量產(chǎn)10月15日，“英特爾中國”官方公眾號宣布，英特爾已于近日開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)Intel 4制程節(jié)點。官方表示，英特爾正以強大執(zhí)行力推進“四年五個制程節(jié)點”計劃，并將用于新一代的領(lǐng)先產(chǎn)品，滿足AI推動下“芯經(jīng)濟”指數(shù)級增長的算力需求。作為英特爾首個采用極紫外光
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先進制程競爭升級，三星臺積電4納米正面交鋒

  • 據(jù)韓媒Business Korea報道，三星電子將在今年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)第三代4納米芯片。報道稱，三星電子3月12日發(fā)布了一份商業(yè)報告，報告提到將在今年上半年開始2.3代（2.3-generation process）4納米工藝大規(guī)模生產(chǎn)。這是三星電子首次提到4納米新版本的具體量產(chǎn)時間。與4納米芯片的第一代產(chǎn)品SF4E相比，第二代和第三代產(chǎn)品顯示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圓面積。目前，業(yè)界已經(jīng)量產(chǎn)的最先進的半導(dǎo)體工藝制程為3納米，但市場主要產(chǎn)品仍為4納米和5納米芯片上，競爭廠商主要
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先進制程介紹

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