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內存雙雄：市況否極泰來

  • 華邦消費性電子應用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

(2023.3.20)半導體周要聞－莫大康

  • 半導體周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發表了講話，部分參與座談的大學發布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發、4000 + 電路板的反復換板開發等，直到現在電路板才穩定下來，因為有了國產的零部件供應。任正非表示，華為現在還屬于困難時期，但在前進的道路上并沒有停步。
  • 關鍵字： 莫大康  半導體  華為  光刻機  NAND  

存儲器廠商Q1虧損恐難逃

  • 由于DRAM及NAND Flash第一季價格續跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業務恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產及跌價導致營收及毛利率持續下滑，第一季本業虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
  • 關鍵字： 存儲器  DRAM  NAND Flash  

存儲大廠展示300層NAND Flash，預計最快2024年問世

  • 近日，在第70屆IEEE國際固態電路會議（ISSCC）上，韓國存儲器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲器原型。SK海力士表示，新3D NAND Flash快閃存儲器預定兩年內上市，有望打破紀錄。外媒報導，SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲存等級的第八代3D NAND Flash開發，提供1TB（128GB）容量，20Gb/mm2單位容量、16KB單頁容量、四個平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達194MB/s，較上一代238層堆疊和164MB/
  • 關鍵字： 300層  NAND Flash  SK海力士  

(2023.3.20)半導體周要聞-莫大康

  • 半導體一周要聞2023.3.13-2023.3.171. 任正非：華為三年完成了13000型號器件的替代開發近日，華為公司在深圳坂田總部舉辦“難題揭榜”火花獎頒獎典禮，為在解題揭榜中做出突出貢獻的獲獎人員代表頒獎，華為總裁任正非發表了講話，部分參與座談的大學發布了座談紀要。任正非表示，在美國制裁華為這三年期間，華為完成 13000 + 型號器件的替代開發、4000 + 電路板的反復換板開發等，直到現在電路板才穩定下來，因為有了國產的零部件供應。任正非表示，華為現在還屬于困難時期，但在前進的道路上并沒有停步
  • 關鍵字： 半導體  莫大康  華為  NAND  光刻機  

均價跌幅擴大，2022年第四季NAND Flash總營收環比下跌25%

  • TrendForce集邦咨詢最新調查顯示，NAND Flash市場自2022年下半年以來面臨需求逆風，供應鏈積極去化庫存加以應對，此情況導致第四季NAND Flash合約價格下跌20~25%，其中Enterprise SSD是下跌最劇烈的產品，跌幅約23~28%。在原廠積極降價求量的同時，客戶為避免零部件庫存再攀高，備貨態度消極，使得第四季NAND Flash位元出貨量環比增長僅5.3%，平均銷售單價環比減少22.8%，2022年第四季NAND Flash產業營收環比下跌25.0%，達
  • 關鍵字： 集邦  NAND Flash  

支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
  • 關鍵字： 3D NAND  DRAM  5nm  SoC  

西部數據宣布進一步削減生產和投資，NAND 晶圓產量將減少至 30%

  • IT之家 2 月 7 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，在內存半導體行業持續低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數據宣布將進一步縮減設備投資和生產。西部數據 1 月 31 日在 2022 年第四季度業績電話會議上表示，2023 財年設備投資總額將達到 23 億美元（當前約 156.17 億元人民幣）。據IT之家了解，這一數字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
  • 關鍵字： NAND  內存  西部數據  

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

  • 消費性固態硬盤（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過去二年作為推動全球NAND Flash需求位成長的要角，市調機構集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場，加上總經不佳導致消費性電子需求急凍，未來消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價后，已與半年前256GB報價相近，甚至
  • 關鍵字： NAND Flash  

基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實現

  • 在現代電子設備中，越來越多的產品使用NAND FLASH芯片來進行大容量的數據存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯。根據NAND FLASH的特點，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態機電路，靈活地實現壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進行測試驗證。
  • 關鍵字： NAND FLASH  FPGA  壞塊  壞塊檢測  202212  

全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

  • 12月15日，美光宣布，已開始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態硬盤（SSD）。據官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術的客戶端SSD，該產品基于PCIe 4.0架構，采用美光232層NAND技術，加強了散熱架構和低功耗設計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶端等主流PC平臺上提升應用程序的運行速度和響應靈敏度。與競品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應用運行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內容創
  • 關鍵字： 美光  232層  NAND  SSD  

韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價甩賣：SK海力士、三星虧到家

  • 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關系著幾大財團的營收，比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道，消費電子產品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價格雙雙下滑。韓國關稅廳最新公布的數據顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產品還有智能手機等移動設備，但這一類產品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個現象是，全球智能手機老大已經在不停的砍單了，至少在3000萬部，這也
  • 關鍵字： 三星  SK海力士  DRAM  NAND  

三星開始量產第8代V-NAND，存儲密度高達1Tb

  • 作為全球化的半導體企業，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產品與技術執行副總裁SungHoi Hu表示："市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  存儲密度  

三星宣布量產第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

  • IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發布任何實際產品，但三星電子現宣布已經開始大規模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業界最高的比特密度。三星聲稱，與現有相同容量的閃存芯片相比，
  • 關鍵字： V-NAND  閃存  三星  

存儲系統的數字安全技術

  • NAND 閃存用于各種消費和工業產品，從筆記本電腦和手機到工業機器人、醫療設備和嵌入式物聯網設備，如傳感器和控制器。 在我們日益互聯的世界中，這些應用程序中的所有脆弱點都需要足夠和強大的安全措施，包括數據存儲系統。 因此，在選擇或設計 NAND 閃存存儲系統時，必須確保存儲器的安全性滿足應用程序的要求。執行現代安全技術需要足夠的處理能力。 作為存儲系統的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個存儲系統所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見的硬件和軟件技術，有助于告知讀
  • 關鍵字： 存儲系統  數字安全  海派世通  NAND  
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