
IT之家了解到,美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產,并已在某些英睿達的消費級 SSD 產品中出貨。
- 11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會之一的 Flash Memory 峰會將于 2020 年 11
月 10 日在美國加州圣克拉拉會議中心舉行。而在 11 月 9 日晚,美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術,該技術具有 176
層存儲單元堆疊。新的
176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發的第二代產品,上一代 3D NAND 則是 128
層設計,算是美光的過渡節點。而目前在三星的存儲技術大幅度領先之下,美光 128 層 3D NAND 并沒有特
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美光 3D NAND
- 半導體并購再起。2020年以來,半導體的重磅收購不斷。英偉達擬收購ARM,AMD洽談收購賽靈思,半導體領域接連出現重大變數,金額屢創新高。今天新的主角又登場了 —— SK海力士與英特爾。SK海力士于20日發布公示官宣將以90億美元收購英特爾NAND閃存業務。本次收購范圍包括英特爾的固態硬盤 (SSD) 業務、NAND閃存和晶元業務,以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。不過,英特爾將保留傲騰 (Optane) 的存儲業務。這是韓國公司有史以來最大規模的海外收購交易,超過三星在20
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SK海力士 英特爾 NAND 存儲芯片
- 據國外媒體報道,研究機構預計,銷售額在去年大幅下滑的NAND閃存,在今年將大幅增長,同比增長率將達到27.2%,銷售額將達到560.07億美元。從研究機構的預計來看,在集成電路的33個產品類別中,NAND閃存今年銷售額的同比增長率,將是最高的,是增長最明顯的一類。就預期的銷售金額而言,NAND閃存依舊會是集成電路中的第二大細分市場,僅次于DRAM,后者的銷售額預計為645.55億美元,較NAND閃存高85.48億美元。在研究機構的預計中,在全球集成電路市場,NAND閃存今年的銷售額將占到15.2%,僅次于
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NAND 閃存
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力,能夠檢測出常規光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷,從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間(包括那些依賴于極端紫外線(EUV)光刻技術的芯片)。eSL10的研發是始于最基本的構架,針對研發生產存在多年的問題而開發出了多項突破性技術,可提供高分辨率,高速檢測功能,這是市場上任何其他電子束系統都難以比擬的。KLA電子束部門總經理Amir Azordegan 表示:“利用單一的高能量電子
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DRAM NAND
- 根據TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查,盡管消費性產品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降,但云端服務、遠距教學的需求也同步催生,加上部份客戶因擔憂供應鏈中斷而提前備貨,促使NAND Flash市場在2020年第一季與第二季呈現缺貨。整體而言,目前需求以SSD占最大宗,與手機、消費性較相關的eMMC、UFS及wafer市場較為冷卻。根據TrendForce分析師葉茂盛指出,當前為NAND Flash第三季議價的關鍵時刻,初步觀察因新款游戲機的年底上市計劃不變,首次轉進SSD的
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NAND Flash
- 據國外媒體報道,三星電子日前表示,計劃投資8萬億韓元(約合人民幣466億元)在韓國平澤工業園區建NAND閃存生產線。三星電子生產線建設上月已經開始,預計2021年下半年開始生產三星最先進的V-NAND產品。三星電子表示,此次投資旨在應對隨著人工智能、物聯網等第四次工業革命,以及5G普及而來的NAND需求。上月,三星電子還透露,已在平澤投資建設生產線,新產線專注于基于極紫外光刻(EUV)技術的5nm、及以下制程。新產線已開始建設,預計明年下半年開始量產5nm芯片。三星電子表示,加上平澤生產線,韓國將擁有7條
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三星 NAND 閃存
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷售單價上漲,帶動整體產業營收季成長8.3%,達136億美元。延續去年第四季開始的數據中心強勁采購力道,第一季Enterprise
SSD仍是供不應求。此外,自年初起,各供應商當時的庫存水位多已恢復至正常,也帶動主要產品合約價呈現上漲。隨后在農歷春節期間爆發新冠肺炎疫情,根據集邦咨詢當時的調查,服務器供應鏈的恢復狀況優于筆記本電腦及智能手機,也因此對于數據中心需求
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NAND 三星 intel
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查,2020年第一季NAND Flash(閃存)位元出貨量較前一季大致持平,加上平均銷售單價上漲,帶動整體產業營收季成長8.3%,達136億美元。
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集邦咨詢 數據中心 NAND Flash
- 處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發展上也隨著其他各家廠商的腳步,開始有了新的進度。根據外媒報導,英特爾的快閃存儲器部門最近公布了發展藍圖,在目前其他各家NAND快閃存儲器供應商都已經開始向1xx層堆疊的發展當下,作為主要NAND制造商之一的英特爾也預計在2021年全面轉向144層堆疊的產品發展。
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英特爾 144層 NAND
- 電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫護或宅經濟需求上升,不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長動能,更讓NAND Flash產業成為這波疫情的少數成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業新人長江存儲 (YMTC),在2016年加入NAND Flash設計生產后,也為市場添增了一股活力。
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群聯 控制芯片 長江存儲3D NAND
- 電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務器服務等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產生的醫護或宅經濟需求上升,不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長動能,更讓NAND Flash產業成為這波疫情的少數成長亮點之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產業新人長江存儲 (YMTC),在2016年加入NAND Flash設計生產后,也為市場添增了一股活力。
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群聯 3D NAND 長江存儲
- 據證券時報消息,長江存儲CEO楊士寧在接受采訪時談及了該公司最先進的128層3D NAND技術的研發進度。楊士寧表示,128層3D NAND技術研發進度短期確實會有所波及。但目前長江存儲已實現全員復工,從中長期來看,這次疫情并不會影響總體進度。128層技術會按計劃在2020年推出。今年早些時候,長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,接下來,長江存儲將跳過如今業界常見的96層,直接投入128層閃存的研發和量產工作?!L江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到,長江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月,總
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長江存儲 3D NAND
- 根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查,雖然新冠肺炎疫情延燒,使得2020年第一季的終端產品出貨動能格外疲弱,但在NAND Flash領域,因為2020年全年供給位元產出年成長收斂至三成,加上各大供應商資本支出保守,第一季NAND Flash均價在淡季仍上漲約5%。
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集邦咨詢 新冠肺炎 NAND Flash
- 存儲器大廠華邦電近日宣布,開發出業界首款新型高速Octal NAND Flash產品,可望使高容量序列(Serial)介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案,解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問題。華邦電表示,Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別,提供車用與工業應用領域穩健可靠的儲存存儲器。
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華邦電 NAND Flash 車用與工業應用領域
- 據IDC預測,2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量,如此驚人而又龐大的數據量,半導體存儲器將具有極大的市場。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種,具體類型如下:“凜冬將至”:這兩年的存儲器市場2017年的存儲器市場可以用火熱來形容,三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人,SK海力士、美光的營收規模均成長近8成,而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營收頭把交椅。整體來說,2017年全球半導體市場規模比2016年成長22.2%,達4197.2億美元,存儲器的
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存儲器、NAND、DRAM
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