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Diodes 公司 （Diodes） 獲得專利的 ACF 拓撲方案，用于關鍵效率改進方法高性價比的高效實現，適用于高功率密度充電器 高壓啟動和低待機功率 （<80mW） 符合 DOE VI 和 COC Tier......
2021 年5月份 USB-IF 協會正式發布 USB PD3.1規范 , 輸出電壓由原5V、9V、15V和20V新增28V、36V及48V三種固定電壓 , 最大功率由100W 擴展至240W.使原本USB PD ......
近年直流電產品應用越來越廣泛，一方面隨著應用技術不斷推陳出新，另一方面終端應用的功率需求越來越大，例如: 音訊放大器、直流無線吸塵器、直流工具機、車用電子產品等。這些直流電產品都需要一個穩定的直流電壓輸入，且可以......
1932年，研究人員在George Herbert Jones實驗室，將金屬鎵和氨在900℃至1000℃的高溫下進行反應，成功合成了GaN材料。近一個世紀的時間里，氮化鎵逐漸引領著功率變換領域的新一輪變革。特別是Powe......
美蓓亞三美株式會社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司（總裁：田中誠司，總部地址：東京都港區，下稱“ABLIC”）今天推出車載3節~6節電池監視用保護IC「S-19193系列」。今天推出的車......
系統架構師和電路硬件設計人員針對最終應用（如測試和測量、工業自動化、醫療健康）需求，往往要耗費大量研發資源來開發高性能、分立式精密線性信號鏈模塊，以實現測量和保護、調節和采集或合成和驅動。本文將重點討論精密數據采集子系統......
近年來，高度依賴在線資源的混合辦公模式加速普及，電子系統成為了必不可少的工具，效率的重要性愈發凸顯。這要求我們不僅在現場操作期間，更要在生產制造過程中，采取各種措施提升能效。利用開關控制器促進能效提升高效利用資源對于實現......
前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章......
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章將比較系......
/ 前言 /功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。功率器件熱設計基礎系列文章會聯系實......
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