IBM公司日前發布了據稱是全球首款電致發光(EL)納米管晶體管，并聲稱該器件發光亮度比發光二極管(LED)強1000倍，光子通量多達1萬倍。

　　通過在硅片上發射數千個光子，其能量消耗與砷化鎵內的一個光子相同。IBM預測，碳納米管(carbon nanotube)晶體管將導致在硅片上制成光集成器件。據IBM稱，硅片集成光器件將有望降低成本，促進電子學發展，減少對奇異半導體材料(如砷化鎵)的需求。

　　IBM表示，其技術通過電氣激勵懸浮于摻雜硅晶圓上方的碳納米管，實現了1,000倍亮的發射強度。所產生的電子空穴對電氣中性，當復合時發射出紅外光。其它研究組織也報道過碳納米管發光，由激光激勵光致發光。IBM則宣稱其技術僅采用電氣激勵產生電子空穴對，密度比光致發光大100倍。

　　IBM表示，憑借其光發射技術實現了非常高的效率。IBM在高摻雜的硅晶圓上的二氧化硅薄膜內蝕刻了溝道，制成了此款光發射晶體管。晶圓襯底充當碳納米管晶體管的背面門極。而器件所發射的紅外光強度與門極驅動電流呈指數相關。