據業者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產能，直至達到20萬片的產能水平。

　　東芝公司最近已經開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數據)閃存芯片的量產，按原先的計劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產量應在今年底前達到總產量的50%左右，不過按目前的產能規劃來看，實際的量產實施時間看來已經會有所拖延。

　　另一方面，對手Intel和美光兩家公司也曾表示稱會在年底前開始使用20nm級別的制程技術制造閃存芯片。兩家公司合資成立的IM Flash公司近期會開始采用34nm制程技術制作3bpc 32Gb NAND閃存。

　　三星公司也在積極跟進，他們正計劃將其在德州奧斯丁的8英寸芯片廠升級為12英寸芯片廠，這樣到明年下半年之前，他們的閃存芯片產能便能進一步提高。據此前的報道顯示，三星目前正采用42nm制程技術量產制造NAND閃存。

　　預計閃存芯片采用2Xnm制程技術制作后，SSD硬盤產品的成本將有顯著下降，這樣SSD硬盤取代傳統機械硬盤的步伐便會大大加快。