a一级爱做片免费观看欧美,久久国产一区二区,日本一二三区免费,久草视频手机在线观看

新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

IR 推出IRF6718 DirectFET MOSFET

作者: 時間:2009-08-11 來源:電子產品世界 收藏

  國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱) 推出F6718 。這款新型25V器件提供業界最低的通態電阻 (RDS(on)),并且使動態ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/97076.htm

  F6718在新款大罐式封裝中融入了IR新一代硅技術,提供極低的通態電阻(在10V Vgs時典型為0.5mΩ),同時比D2PAK的占位面積縮小60%,高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導損耗,從而大大提高整體系統的效率。

  IR亞洲區銷售副總裁潘大偉表示:“IRF6718是IR第一款采用大罐式封裝的器件,與同類器件相比擁有更低的通態電阻,可實現卓越的效率及熱性能,適合于高密度DC-DC應用,如比D2PAK尺寸更小的服務器。另外,該器件還有助于節省電路板空間及整體系統的成本,因為在特定功率損耗下,它比現有解決方案使用更少的器件。”

  此外,IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現了改善的安全工作區(SOA)能力。該器件采用無鉛設計,并符合RoHS標準。

  IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET系列的衍生產品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關應用,并且在各自的PCB尺寸內提供業界最佳的通態電阻。



關鍵詞: IR MOSFET DirectFET

評論


相關推薦

技術專區

關閉