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ST攜手Soitec開發新一代CMOS圖像感測器技術

作者: 時間:2009-05-15 來源:美通社 收藏

  全球領先的半導體公司和全球 影像技術領導商意法半導體 (Microelectronics)(M) 和世界領先的工程基板供應商 Soitec今天公布了兩家公司之間一項獨家合作,以便於為消費電子產品的新一代開發 300mm 晶圓級背面照度 (BSI) 技術。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/94365.htm

  當今最先進的的解析度正不斷提高,而特別是在消費市場,總體減少相機模組占用空間的需求很高。這意味著必須開發更小的單個圖元尺寸,同時保持圖元靈敏度以便產生高品質的圖像。在開發新一代時,背面照度是一項能夠應對這一挑戰的關鍵技術。



關鍵詞: ST CMOS 圖像感測器

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