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Diodes推出高壓超勢壘整流器系列第一款器件

作者: 時間:2009-05-08 來源:電子產品世界 收藏

  公司推出高壓超勢壘 (Super Barrier Rectifier,簡稱SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。該系列采用熱效率和緊湊的專有PowerDI5封裝,具有卓越的超低熱阻,使SBR10U200P5能以減少40%的占位面積,實現雙倍的功率密度。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/94187.htm

   亞太區技術市場總監梁后權表示,SBR10U200P5是業界體積最小的引線式10A,額定電壓高達200V,能夠在10A額定電流和125℃的結溫下提供業內領先的低至0.7V的正向電壓降 (VF)。該器件的板外封裝高度只有1.1mm,僅為Dpak封裝的一半,有助于設計人員縮減筆記本電腦、通用充電器和電信電源等終端應用中的尺寸,提高功率密度。

  SBR10U200P5申請了專利的封裝結構可以在緊湊的超薄封裝內實現更高的功耗和浪涌能力,從而達到175℃的最大額定結溫,而雪崩額定值也比采用Dpak封裝的同類肖特基二極管解決方案高出50%。因此,SBR10U200P5可以不使用電源輸出的緩沖電路,使設計人員減少終端產品的成本并簡化設計。

  SBR10U200P5的各項出色功能使其非常適用于電源輸出級的輸出二極管,也可用作降壓型穩壓器電路中的箝位二極管,還可用作電機驅動電路的續流二極管或升壓二極管。



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