其中，Vsat為Q1最低的期望發射極-集電極電壓，VBE2為Q2的基極-發射極電壓。

　　圖3顯示了3.3V輸入應用之后的輸出電壓。由于-48V輸出跟蹤在大約兩倍調節電壓上，因此-24V輸出上升至穩壓狀態。一旦處于穩壓狀態時，-24V輸出就隨負載發生少許變化。

　　圖3 -24V和-48V電源的受控關斷

　　在所有負載狀態下，-48V輸出電壓變化低于±1.5%。較好的電壓交叉調節歸因于鉗位控制的充電泵工作特性。在-24V輸出端上引起誤差的最大原因是隨負載變化的二極管電壓降，以及Q2基極-發射極結的變化和控制器的內部電壓基準。-24V輸出情況下輸出紋波電壓為50mVp-p，-48V輸出時紋波電壓為200mVp-p。1W負載的效率在72%時達到峰值。引起損耗的關鍵原因是內部MOSFET的傳導損耗和開關損耗。

　　圖4顯示了原型電路。整個SLIC電路占用了不到一平方英寸的電路板面積。該控制器采用6引腳、2×2mmQFN封裝。該設計有賴于一個標準的單繞組電感而非較大的定制變壓器或雙繞組電感，以實現較小的電路板占用面積。

　　圖4 電路占用了不到一平方英寸的電路板面積

　　這種方法成本很低。該設計的最大輸出功率受內部FET的電流極限限制。使用一個更高的輸入電壓和大電感值降低了FET峰值電流，從而提高了可以實現的最大輸出功率。然而，對于較低的輸入電壓而言，該電路是一款實用且經濟的解決方案。