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IR推出高壓D類音頻控制集成電路

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作者: 時間:2005-09-30 來源: 收藏

全球領先的功率管理技術公司近日推出專為每個通道高達500W的D類音頻應用開發的200V控制集成電路S20124S。該器件集成的可調節死區時間、雙向過流感應等功能可保護放大器系統。此外,這些特性還可以使音頻設計師簡化電路并減少家庭影院娛樂系統、影音接收機和汽車音響系統中D類音頻放大器的元件數量。

內置的可選死區時間生成電路可對穩定性進行熱補償,并具有噪聲和電源電壓波動免疫功能,以改善總諧波失真THD。 S20124S內置雙向電流感應和集成的關斷功能,在出現揚聲器引線短路等過流狀況時保護輸出MOSFET。

IR消費及工業產品部副總裁譚仲能指出:“使用這一新型D類音頻集成電路來驅動音頻MOSFET(如IRF6665),電路設計人員可以減少系統占板空間,改進PCB布局,降低EMI和改善熱特性?!?

譚先生認為,“D類音頻電路需要承受高頻開關的高電壓變化,IR專門為開關應用優化的MOSFET和高壓控制集成電路非常適合數字音頻系統的需要。其針對特殊應用的器件具有更高的效率,能增加功率密度并具有更好的音頻性能?!?

設計支持

        在IR音頻網頁http://www.irf.com/product-info/audio/ 可訪問相關設計數據表、產品選擇指南和D類音頻應用筆記的鏈接。

供貨和報價

         新款IRS20124S D類音頻高壓控制集成電路現已供貨。該器件符合無鉛和RoHS標準。 IRS20124S為14引腳 SOIC封裝,每萬件的訂貨量單價1.50美元,價格會有所變動。產品基本規格如下:


產品編號    封裝    偏置
電壓    輸出
電壓    Io+/-    可選的
傳播延遲    死區
時間
IRS20124S    14引腳
 SOIC    最大值
200V     10-20V    典型值 1A/1.2A    典型值
 70納秒    典型值
15/25/35/45納秒

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/8885.htm


關鍵詞: IR

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