KLA-Tencor 公司日前推出了 PROLITHTM 12 ，這是一款業界領先的新版計算光刻工具。此新版工具讓領先的芯片制造商及研發機構的研究人員能夠以具有成本效益的方式探索與極紫外線 (EUV) 光刻有關的各種光罩設計、光刻材料及工藝的可行性。

　　縮小芯片上重要器件的關鍵尺寸能夠讓芯片廠生產出更快的微處理器，但在成像時用于曝光光罩的光波波長對于能夠形成的器件有最小關鍵尺寸的限制。在過去幾代的芯片器件上，半導體行業一直使用深紫外線 (DUV) 光波。以后更短的波長將是 EUV 的天下。專家預測，使用EUV 光刻有可能創造出比當今最強大的芯片還要快一百倍的器件。

　　KLA-Tencor 的副總裁兼工藝控制信息部的總經理 Ed Charrier 表示：“業界光刻技術藍圖將 EUV 列為幾年內生產半導體器件的一項潛在技術，但還有若干技術障礙需要克服。我們的新版計算光刻工具 PROLITH 12 讓研究人員能夠精確地模擬 EUV 光波與光罩、成像材料及工藝之間的相互作用，以預測晶片上圖案的結果。有了 PROLITH 12，研究人員無需使用試驗材料和任何制程設備，他們也不必經歷數百個測試晶片光刻的昂貴和漫長的過程。”

　　光刻波長的變化歷來是一項重大任務，因為必須開發和測試新的掃描曝光機、新的光刻膠材料和新的光罩。轉換到 EUV 光刻會帶來新的挑戰，即必須使用來自不透明光罩的反射光來刻畫晶片，因為現在沒有光罩材料對 EUV 光是透明的。這個重大變化造成印在晶片上的圖案不對稱。PROLITH 12 就是專為解決 EUV 特有的挑戰而設計的。

　　作為業界領先的 PROLITH 平臺的升級版，PROLITH 12 是 KLA-Tencor 先進光刻解決方案組合中的拳頭產品。PROLITH 12 已被美國和亞洲的研發機構及先進的內存制造商采用，幫助研發工程師判斷 EUV 光刻的可行性，并確定 EUV 能夠獲得成功的條件。