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夏普微電子出新款光電耦合器可節省板空間

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作者: 時間:2005-09-23 來源: 收藏

 (Sharp Microelectronics)近日推出新款系列高速光電耦合器。該系列產品采用S08封裝,提供1、15和25Mbps的單通道器件,10Mbps產品提供單通道和雙通道版本。上述器件具有高抗干擾、高耐熱以及高隔離等特性。

  除具有更小、更薄的S08封裝外,這些器件的雙通道產品還有助于節省板空間并減少外圍元件數量,因而特別適合于北美的某些應用,包括等離子體顯示器、數字音頻放大器、電源、數字現場總線以及接地隔離等需要表面安裝的8引腳高速邏輯應用。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/8784.htm

  上述器件的主要特性包括無鉛、符合RoHS規范、高共模抑止(CMR)、電隔離及高耐熱等,尤其適用于無鉛焊,同時具有低電流輸入,可降低系統功耗,此外還具有高效、高抗干擾、安全等等特性。

  除采用S08封裝的產品外,夏普還開發了一種多功能光電耦合器(PC925L0NSZ0F),可用于轉換高速MOS-FET/IGBT驅動,輸出達2.5A,適用于電機控制產品

  除具有更小、更薄的S08封裝外,這些器件的雙通道產品還有助于節省板空間并減少外圍元件數量,因而特別適合于北美的某些應用,包括等離子體顯示器、數字音頻放大器、電源、數字現場總線以及接地隔離等需要表面安裝的8引腳高速邏輯應用。

  上述器件的主要特性包括無鉛、符合RoHS規范、高共模抑止(CMR)、電隔離及高耐熱等,尤其適用于無鉛焊,同時具有低電流輸入,可降低系統功耗,此外還具有高效、高抗干擾、安全等等特性。

  除采用S08封裝的產品外,夏普還開發了一種多功能光電耦合器(PC925L0NSZ0F),可用于轉換高速MOS-FET/IGBT驅動,輸出達2.5A,適用于電機控制產品

 


關鍵詞: 夏普微電子

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