雖然我國高亮度LED芯片產量于2007年超過210億只，但還遠遠不能滿足國內市場需求，進口芯片占很大比例，特別是高性能LED芯片和功率LED芯片幾乎全部進口。估計2008年高亮度芯片產量會超過300億只，但仍不能滿足國內市場需求，仍需大量進口。

    　2007年，高亮度LED器件產量雖然達到250億只，但實際需求超過300多億只，特別是高性能LED器件，幾乎全部進口。

    　國內LED應用產品市場目前的重點與國外不一樣，國際上現階段LED主要用于背光源、汽車及信息顯示部分，而目前國內LED除用于信息顯示之外，還用于景觀裝飾照明、交通信號燈及部分功能性照明，特別是城市景觀照明和路燈的開發應用，已經成為熱點。有人估計2008年LED應用產品的產值將達540億元。加上LED芯片、器件、模塊和配套原材料等，整個LED產業的產值將超過1000億元。

    　中國加大投入LED產業

    　近年來，我國明顯加大了對LED產業的投入。政府相關部門加大了資金投入，扶持半導體照明產業的研發和發展，如教育部投入大學的基礎研究項目資金，中科院投入研究所的研發項目資金，科技部以863項目投入的研發資金，原信息產業部以電子發展基金項目投入資金，國家發改委以擴大產業化規模項目進行投入等等。許多省、市也以各種形式投入資金發展半導體照明產業，有十幾個省、市將半導體照明產業作為本地區重點產業加以發展。

    　國內相關企業集團和私營資本近幾年也積極投資半導體照明產業，有人估計投資額超過100億元。國內LED前工序企業近年新購置MOCVD設備40臺～50臺，芯片制造設備幾百臺套，擴大企業產能。國內最大的5家LED封裝企業均在近兩年內投資建設新廠房，增資購置自動化封裝設備。另外，由于各方投資的增加，近兩年還增加了很多新進入該領域的企業。

    　當然，LED產業的投資風險也不容忽視。由于半導體照明產業屬于高科技產業，現有上萬個專利，對投資者來說，要充分了解該技術領域的專利保護和專利糾紛問題，不應隨意介入，否則有可能引來國際訴訟；對于準備在LED外延生長和芯片制造領域投資的企業而言，應充分考慮其核心技術的來源，最好要有自主知識產權的核心技術，否則重復投資LED的中、低檔產品，其風險較大；在市場開拓上，要充分考慮到韓國和我國臺灣地區相關產品市場競爭的激烈程度，特別是我國臺灣地區，其LED的技術水平較高，產量也較大，在市場競爭方面，對大陸企業形成較大的挑戰。

    　技術、市場、政府支持缺一不可

    　雖然我國LED產業發展速度較快，但技術水平與國際領先水平的差距仍然較大，主要是缺乏有自主知識產權的核心技術，其產品以中、低檔為主，產業化規模偏小，缺乏競爭能力。
高性能LED和功率LED產品均要依賴進口，為此，對于如何加速發展LED產業，提出如下三點建議：

    　第一，政府應加大支持力度，增強調控能力。一方面，應重點支持國家級半導體照明研發平臺建設，對分散重復的研究機構進行整合調整，真正支持有自主知識產權核心技術和創新項目的研發工作；另一方面，應該用政府引導和宏觀調控的辦法，對LED前工序規模偏小和有條件的后工序封裝企業要引導投資、重點扶持，進行整合、合資、合并，集中資源擴大產業化規模，使企業在國際上具有一定的競爭能力。對此，可借鑒韓國和我國臺灣地區的經驗。

    　第二，應加強LED技術基礎研究、開發。在LED外延、芯片制造領域，應著重提高發光的內量子效率和外量子效率，提高產品性能、穩定性、一致性和可靠性，提高產品的成品率，要有創新成果和自主知識產權的核心技術。在封裝領域，應加強白光LED和功率LED封裝技術的研發，主要是提高出光效率、出光均勻性、一致性，改進封裝結構，提高襯底散熱性能、降低熱阻，提高抗光衰能力和可靠性。在配套領域，應加強LED主要原材料、配套件和制造LED的關鍵設備的基礎研究、開發，主要是指襯底、有機源、環氧樹脂、硅膠、熒光粉、驅動電路和MOCVD（金屬有機物化學氣相淀積）設備等等。此外，還應該加強LED的光、電、色、熱學及照明參數的測試研究，并對LED光源的可靠性開展研究；同時，也應該重視LED應用產品的研發工作，要有創新意識，開發出市場需求的新產品。

    　第三，應擴大LED應用市場。LED產品的應用面很廣，在推廣應用和市場開拓上，目前要重點抓住如下三個方面：一是加強中等尺寸和大尺寸LED背光源的研發工作，該市場潛力巨大，技術上逐步成熟，要抓住時機，盡快進入市場；二是加大用于汽車上的各種LED燈和顯示的研發工作，其技術已成熟，市場潛力很大，要盡快進入市場；三是加強開發半導體照明的應用，特別是開發專用照明和特種照明，該照明產品系列的技術已逐步成熟，正是開發應用的好機會，市場潛力也很大，要盡快進入市場。

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    　LED簡介

    　半導體發光二極管(LightEmittingDiodes，簡稱LED)是半導體Ⅲ-Ⅴ族化合物(GaP、GaAlAs、GaAs、AlGaInP、GaN等)經加工產生P-N結后形成的器件，在外加一定電流的情況下，能發射紅外光、可見光或紫外光。

    　目前高亮度LED主要有兩大類：四元系AlGaInP發紅光、橙光、黃光，GaN基發綠光、藍光、紫光和紫外光。其主要應用范圍也有兩大類：顯示與照明。由于LED技術的不斷進步，發光強度(輻射功率)和發光效率的不斷提高，這些高亮度半導體發光二極管作為光源已逐步進入光色照明、專用照明領域，并最終要進入普通照明領域。這些高亮度LED作為光源進入照明的領域通常稱為半導體照明。

    　由于半導體照明比現有的照明光源更加節能，因此半導體照明又被稱為照明領域中的又一次革命。比如，一只60W的白熾燈泡要消耗60W的電能，發出大約800lm的光，用現有的節能燈管，需要12W-15W的電能，如果用半導體照明(假定發光效率為120lm/W-150lm/W)只需要6W-8W的電能，目前LED的發光效率為100lm/W，經過努力在未來幾年內達到120lm/W-150lm/W。