如圖1，2所示，MOSFET驅動器(IC1)和RC電路構成脈沖前沿觸發電路，它們一起對送來的采樣時鐘前沿鎖定，并為后級電路提供驅動。IC1(MAX5048)輸出的5V脈沖施加到由兩個微型變壓器初級繞組構成的2:1電感分壓網絡，而該分壓網絡中點被連接到超快速比較器(IC3)的反相輸入端。

　　假定此時DATA_IN上的數據為0(低電平)，則MOSFET處于斷開狀態,因此T2次級開路。根據分壓電路，IC3反相端輸入脈沖幅度為2.5V，因此使得其內部輸出低電平。同時，IC2的兩個門電路產生一個短脈沖送到比較器IC3(MAX913)的使能鎖存端把低電平狀態鎖存到比較器外部輸出端，因此得到與DATA_IN一樣的狀態。

　　相反，假定DATA_IN此刻為高電平，則MOSFET導通，使得RDSON為低阻狀態，結果導致IC3反相輸入端的脈沖幅度大大減小，低于其同相輸入端電壓，因此使能鎖存端脈沖使得比較器輸出高電平，再次得到與DATA_IN狀態一致的結果。

　　圖1中的變壓器T1，T2磁芯采用了很普通的鐵氧體磁珠(##2673000101)，3毫米長，直徑為3.3毫米，T1，T2初級，次級繞組都只有一匝。為了減小寄生電感，T2與MOSFET之間的連線應該盡可能地短。因為變壓器的擊穿電壓與隔離壩采用的絕緣材料及PCB板材有關, 例如,采用聚乙烯或聚亞酸胺絕緣材料，可使隔離壩承受數千伏特的電壓(變壓器的磁芯屬于導電體)。

　　如果仔細繞制變壓器,整個電路對外的電容大小主要由T2的匝間電容決定。當采用上述磁芯，及24號聚乙烯絕緣漆包線,T2的匝間電容會小于0.2pF.其結果使得從采樣時鐘前沿到DATA_OUT(見圖2)延遲時間只有大約20ns。