Vishay推出新型第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導通電阻性能和導通電阻與柵極電荷乘積指標。

　　新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK® SO-8 封裝的 N 溝道器件，在 4.5V 柵極驅動電壓下具有 2.25 毫歐的最大導通電阻。導通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉換器應用中 MOSFET 的關鍵優值系數(FOM)，Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98 --- 創造了任何采用 SO-8 封裝的 VDS = 30V、VGS = 20 V 器件的新的業界紀錄。與分別為實現低導通損耗和低開關損耗而優化的最接近的競爭器件相比，Vishay的新器件代表了市場上最佳的可用規格。更低的導通電阻及更低的柵極電荷意味著更低的導通損耗和更低的開關損耗。

　　Vishay SilIConix Si7192DP 將作為同步降壓式轉換器及次級同步整流和 OR-ing 應用中的低端 MOSFET，其低導通及低開關損耗將有助于穩壓器模塊(VRM)、服務器及采用負載點(POL) 功率轉換器的眾多系統實現更高功效且更節省空間的設計。

　　Siliconix 創建于 1962 年，是業界率先推出溝道功率 MOSFET 的供應商，并于 1996 年成為 Vishay 的子公司。該公司的 TrenchFET IP 包含眾多專利，其中包括可追溯到 20 世紀 80 年代初的基礎技術專利。每種新一代 TrenchFET 技術均可滿足各種計算、通信、消費類電子及許多其他應用對更高功率 MOSFET 性能的需求。

　　目前，Si7192DP 已開始提供樣品和批量生產，大宗訂單的交貨周期為 10 至 12 周。