日立有限公司與瑞薩科技（Renesas）宣布，為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲技術的需求，雙方共同開發出了運行于1.5V電源電壓的512KB（相當于4Mb）相變存儲模塊，該器件能夠實現416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時間。利用以前開發的100μA（Micro[注1]安培）寫入操作電流的“低功耗相變存儲單元”，兩家公司在新模塊中開發了一種可以實現高速讀寫操作的外設電路技術。 

    日立和瑞薩以前開發過一種低功耗操作相變存儲器，它在界面層使用了五氧化鉭，可以利用1.5V電源電壓和100μA電流進行寫操作。與傳統的片上非易失性存儲器相比，這種存儲器可以降低寫電壓，在芯片內無需使用產生高壓的電源電路，從而有助于減小模塊尺寸，并實現更高的密度。不過，由于讀取電流很小，存儲器陣列電路技術非常關鍵，這樣才能保證在小電流條件下實現高速運行。 

    新開發的電路技術具有以下特性： 
（1）寫電路技術有助于利用小電流實現高速寫入 
 a.兩步電流控制的數據寫入方法 
    高速寫入是利用控制兩步寫入過程中流經相變薄膜的電流來實現的，首先是100μA的電流，然后是低于100μA的電流，以有效地產生焦耳熱量。 

b.串寫方法 
    通常，存儲器的寫入是多位同時執行的。由于寫入所需的電流為：單元寫電流