a一级爱做片免费观看欧美,久久国产一区二区,日本一二三区免费,久草视频手机在线观看

新聞中心

EEPW首頁 > 消費電子 > 新品快遞 > 品佳集團積極推廣 NXP高效能超低噪聲的微波晶體管

品佳集團積極推廣 NXP高效能超低噪聲的微波晶體管

——
作者: 時間:2007-05-10 來源:電子產品世界 收藏

  近期積極推廣高效能超低噪聲的,高頻應用(20GHz以下)的NPNBFU725F 可提供極佳的高切換頻率、高增益和低噪聲等組合性能。藉由其超低的噪聲系數,非常適用于敏感度高的 RF module 及 High performance mobile phones;此外,其高切換頻率的特色可用作 10GHz ~ 30GHz 之微波應用如衛星電視接收器及汽車防撞雷達的解決方案。

  BFU725F 采用了創新的硅鍺碳 (SiGe:C) BiCMOS制程–QUBiC4X,這是專門為符合現實生活中的高頻應用要求所設計的,可提供優越的高功率增益及動態范圍組合性能,這個晶體管可謂將砷化鎵 (GaAs) 的性能及硅鍺碳的可靠性結為一體,但不需像使用砷化鎵組件時還要再增加負偏置電壓 (negative biasing voltages)的設計,所以在產品應用上更能為客戶帶來成本效益,此產品目前巳有樣品可提供申請,預計于2007年第三季可量產供貨。

 

Key Features
‧Very low noice of 0.69dB at 6GHz
‧High Maximum stable gain (Gms) 27.8dB at 1.8GHz
‧High switching frequency – fT > 100GHz, fmax > 150GHz
‧Plastic surface mounted package, SOT343F

Key Benefits
‧Very low noise of 0.4dB at 1.8GHz
‧High gain of 10dB at 18GHz
‧SiGe:C process ensures high switching frequency
‧Cost-effective alternative to GaAs devices

Key Applications
‧GPS system
‧DECT Phone
‧2nd stage LNA and mixer in DBS and LNB
‧Satellite Radio
‧WLAN and CDMA applications
‧Low-noise microwave applications

Quick reference date for the BFU725F (SOT343F)
 

Transition frequency as a function of collector current (typical values)
 

Gain as a function for frequency (typical values)
 



評論


相關推薦

技術專區

關閉