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封裝寄生電感是否會影響MOSFET性能?

作者: 時間:2015-01-06 來源:網絡 收藏

  I.引言

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/267745.htm

  高效率已成為開關電源(SMPS)設計的必需要求。為了達成這一要求,越來越多許多功率半導體研究人員開發了快速開關器件,舉例來說,降低器件的寄生電容,并實現低導通電阻,以降低開關損耗和導通損耗。這些快速開關器件容易觸發開關瞬態過沖。這對SMPS設計中電路板布局帶來了困難,并且容易引起了柵極信號振蕩。為了克服開關瞬態過沖,設計人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值,以減慢器件開關速度,抑制過沖,但這會造成相對較高的開關損耗。對于采用標準通孔封裝的快速開關器件,總是存在效率與易用性的折衷問題。

  在處理電路板布局和器件封裝產生的時,快速開關器件接通和關斷控制是關鍵問題。特別是,封裝源極是是器件控制的關鍵因素。在本文中,英飛凌提出了一種用于快速開關超結的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個解決方案將源極連接分為兩個電流路徑;一個用于實現功率連接,另一個用于實現驅動器連接。這樣一來,器件就能保持快的開關速度,同時又不必犧牲接通和關斷控制能力。

  本文編排如下:在第二節,將利用硬開關升壓轉換器來分析并開發一個簡單的高頻模型,該模型采用了具備寄生參數和電路板寄生參數的標準通孔封裝傳統的TO247(即:電源電流路徑和驅動電流路徑是相同的)。第三節將對最新推出的TO247 4引腳封裝做詳盡的電路分析,以表明TO247 4引腳封裝在開關速度、效率和驅動能力等方面的有效性。最后,第四節分析了實驗波形和效率測量,以驗證最新推出的TO247 4引腳封裝的性能。

  II.分析升壓轉換器中采用傳統的TO247封裝的

  A.開關瞬態下的MOSFET操作時序

  要分析快速開關MOSFET中的封裝產生的影響,必須十分理解MOSFET工作處理。硬開關關斷通常出現在硬開關拓撲和零電壓開關拓撲中。本小節將逐步分析MOSFET關斷瞬態操作。圖1所示為硬開關關斷瞬態下,理想MOSFET的工作波形和工作順序。

  

 

  圖1升壓轉換器中的MOSFET的典型關斷瞬態波形

  當驅動器發出關斷信號后,即開始階段1 [t=t1]操作,柵極與源極之間的MOSFET電容器Cgs將開始放電。此時,MOSFET阻斷特性保持不變。這個t1階段被稱為延時,它表征著MOSFET的響應時間。當MOSFET柵源電壓Vgs達到柵極平臺電壓Vgs(Miller)時,這個階段便告結束。

  當Vgs與Vgs(Miller)相等之后,將進入階段2 [t=t2],在此期間,其電壓水平將保持不變。負載電流將對漏極與源極之間的MOSFET電容器Cds進行充電,以重建空間電荷區。這個階段將一直持續至MOSFET漏源電壓Vds達到電路輸出電壓時為止。

  階段3 [t=t3],Cgs將繼續放電。漏電流Id和Vgs開始線性下降,阻斷MOSFET導通通道。當Vgs與柵極閾值電壓Vgs(th)相等,并且Id變為零時,這個階段即結束。這個階段結束后,MOSFET將完全關斷。

  階段4 [t=t4],柵極驅動對Cgs持續放電,直至Vgs電壓水平變為零。

  B.傳統的TO247封裝MOSFET的開關瞬態特性分析

  利用升壓轉換器,評估了封裝寄生電感對MOSFET開關特性的影響。圖2所示為傳統的TO247 MOSFET等效模型的詳情,以及升壓轉換器電路和寄生電感的詳情。對于MOSFET模型,3個電容為硅結構,分別位于各個連接引腳之間:柵漏電容Cgd、漏源電容Cds和柵源電容Cgs.鍵合絲產生了MOSFET寄生電感:柵極寄生電感Lg1、漏極寄生電感Ld1和源極寄生電感Ls1.這個模型也包含了電路板電路布局產生的雜散電感:Ld2、Ld3、Lg2和Ls2.分析中,LS等于Ls1+Ls2,Lg等于Lg1+Lg2,RG等于Int.Rg+Ext.Rg.

  

 

  圖2.升壓轉換器中的TO247封裝MOSFET等效模型和寄生電感

  參照小節A中討論的關斷瞬態順序,源極電感LS主要在瞬態階段3影響到MOSFET開關特性。柵極驅動路徑顯示為紅色,漏電流在藍色環路上流動??焖匐娏魉矐B過程中,LS引發電壓降VLs,這能抵消會降低驅動能力和減慢器件速度的柵極電壓。

  通過在驅動環路上運用基爾霍夫電壓定律,柵源電壓Vgs(t)可以表示為:

  

 

  從等式(2)和(3)可知,源極電感可以減慢開關瞬態,加劇開關過程中的有關能耗。在傳統的TO247 MOSFET配置中,電路源極電感是MOSFET封裝源電感Ls1與電路板布局源極電感Ls2之和。始終必須最大限度地降低封裝源和電路板寄生的源極電感,因為二者均為關鍵控制要素。較之采用通孔封裝的MOSFET,通過將無引線SMD封裝用于MOSFET,可以最大限度地降低封裝中的寄生源電感。因此,采用SMD封裝的MOSFET也能實現快速開關,同時降低開關損耗。適用于4引腳器件的SMD封裝名為“ThinkPAK 8X8”。

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關鍵詞: 寄生電感 MOSFET

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