1、我國半導體分立器件分布現狀

　　我國半導體分立器件產業地區分布相對集中。按國內半導體分立器件行業銷售總額比重分布，其中長三角地區占41.3%，京津環渤海灣地區占10%，珠三角地區占43.2%，其他地區占5.5%。我國生產分立器件的企業主要分布在江蘇、浙江、廣東、天津等省市，占到全國的76.4%以上。

　　2、半導體分離器件市場規模

　　前瞻產業研究院發布的《2014-2020年中國集成電路行業市場需求預測與投資戰略規劃分析報告》顯示：2009-2013年，中國半導體分立器件產業銷售額逐年上漲，2013年均為最大值，但是增速呈現波動趨勢。2010年，2013年，中國半導體分立器件產業銷售額為1135.40億元，同比增長28.50%，增速為近年來的最大值。2013年，中國半導體分立器件產業銷售額為1642.50億元，同比增長18.17%，,增長速度有所加快。

　　圖表2：2009-2013年中國半導體分離器行業銷售額變化趨勢圖(單位：億元，%)

　　資料來源：國家統計局 前瞻產業研究院整理

　　3、分立器件的發展趨勢

　　事實證明，半導體分立器件仍有很大的發展空間。半導體分立器件通常總是沿著功率、頻率兩個方向發展，發展新的器件理論、新的結構，出現各種新型分立器件，促進電子信息技術的迅猛發展。

　　一是發展電子信息產品急需的高端分立器件，如Si、GaAs微波功率器件、功率MOS器件、光電子器件、變容管及肖特基二極管等。隨著理論研究和工藝水平的不斷提高，電力電子器件在容量和類型等方面得到了很大發展，先后出現了從高壓大電流的GTO到高頻多功能的IGBT、功率MOSFET等自關斷、全控型器件。近年來，電力電子器件正朝著大功率、高壓、高頻化、集成化、智能化、復合化、模塊化及功率集成的方向發展，如IGPT、MCT、HVIC等就是這種發展的產物。

　　二是發展以SiGe、SiC、InP、GaN等化合物半導體材料為基礎的新型器件。

　　三是跟蹤世界半導體分立器件發展趨勢，加強對納米器件、超導器件等領域的研究。

　　四是分立器件封裝技術的發展趨勢仍以片式器件為發展方向，以適應各種電子設備小型化、輕量化、薄型化的需要。封裝形式的發展，一是往小型化方向發展，由常用的SOT-23、SOD-123型向尺寸更小的，如SOT-723/923、SOD-723/923、DFN/FBP1006等封裝型式發展;二是片式小型化往功率器件方向延伸，從1W功率的SOT-89一直到功耗10W的TO-252以及功率更大的大功率封裝，如TO-247、TO-3P等;三是另一類則望更大尺寸、更大體積以滿足各類更大功率的新型電力電子封裝，如全壓接式大功率IGBT及各類模塊封裝等。