大多數微帶天線只在介質基片的一面上有輻射單元，因此，可以用微帶線或同軸線饋電。因為天線輸入阻抗不等于通常的50 歐姆傳輸線阻抗，所以需要匹配。匹配可由適當饋電位置來做到。但是，饋電的位置也影響輻射特性。另外， 80 年代以來還出現了電磁耦合饋電。

1. 微帶饋電

利用微帶線進行饋電。用微帶線饋電時，饋線與微帶貼片是共面的，因而可方便的一起光刻，制作簡便。但饋線本身也有輻射，從而干擾天線方向圖，降低增益，為此，一般要求微帶線不能寬，希望微帶線寬遠小于波長。

天線輸入阻抗與特性阻抗的匹配可由適當的選擇饋電點的位置來實現。如果場沿矩形貼片的寬度變化，則當饋線沿寬度移動時，輸入阻抗隨之而變，從而提供了一種阻抗匹配的簡單辦法。饋電位置的改變，使得饋線和天線之間的耦合改變，因而使諧振頻率產生一個小的漂移，而輻射方向圖仍然保持不變。不過，稍加改變貼片尺寸，可補償諧振頻率的漂移。

2. 同軸線饋電

同軸插座設置在印制電路板的背面，而同軸線內導體接在天線導體上。對指定的模，同軸插座的位置可由經驗確定，以便產生最好的匹配。

優點是：饋電點可選在貼片內任何位置且避免了對天線輻射的影響。

3. 電磁耦合饋電

該結構的特點是貼近（無接觸）饋電，可利用饋線本身，也可通過一個口徑（縫隙）來形成與天線間的電磁耦合。這種方法可以獲得寬頻帶的駐波比特性。