全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點器件，具有極低的導通電阻 (RDS(on))。

　　IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封裝，導通電阻典型值只有500µΩ，可大幅降低傳導損耗，因而非常適合動態ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新器件可使用3.3V、5V或12V的電源軌操作，在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中，可比同類最佳PQFN器件降低15%的損耗，使設計人員能夠在大電流應用內減少器件數量。

　　IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“StrongIRFET系列經過擴充后，能夠滿足市場對動態ORing和電子保險絲的高效開關的需求。全新IRL6283M在高性能封裝內提供行業領先的導通電阻，從而實現無可比擬的功率密度。”

　　與DirectFET系列的其它器件一樣，IRL6283M可提供有效增強電氣性能和熱性能的頂側冷卻功能，以及旨在提高可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可適合長生命周期的設計。同類的高性能封裝包含高鉛裸片，雖然符合電子產品有害物質管制規定第7(a) 項豁免條款，但這項豁免將于2016年到期。

　　規格

　　IR的StrongIRFET系列同時提供采用了行業標準占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環保封裝，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

　　產品現正接受批量訂單。