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2014年全球半導體資本支出

作者: 時間:2014-03-26 來源:DIGITIMES 收藏

  根據(jù)市調機構ICInsights統(tǒng)計,2014年全球廠資本支出上看622億美元,年增率約8%,前三大資本支出最高的業(yè)者分別為、英特爾和臺積電,3者資本支出分別為115億美元、110億美元和100億美元,貢獻今年產業(yè)資本支出約51.8%。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/235322.htm

  2014年全球產業(yè)資本支出攀升,主要是受惠行動裝置商機推動,對于智慧型手機平板電腦、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)相關晶片需求提升,帶動全球半導體廠競相擴充產能。主要集中在先進制程技術如20/16/14奈米制程、3DNAND制程技術等。

  2014年資本支出攀升比率最高的是快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk)較2013年成長86%,達16億美元,主要是與東芝(Toshiba)合資擴建3DNAND晶圓廠投資增加,預計2014年下半進入量產;美光2014年資本支出也相當強勁,年增率約58%。



關鍵詞: 三星電子 半導體

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