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短路保護電路基于高壓MOS/IGBT模塊的設計

作者: 時間:2011-12-05 來源:網絡 收藏

鎖定的驅動的3腳為短路信號檢測入端;2腳為驅動地;1腳為驅動輸出。

  當電路存在短路的時候流過MOS的電流很大在S極電阻兩端產生的壓降導致三極管由截止進入(當然導到什么程度具體跟MOS的跨導有關系),因此驅動電阻上面有壓降,MOS進入放大區。這個時候高電壓不會通過MOS進行強電流放電,因而芯片不會有局部過熱的可能,在很短的時間內檢測到短路存在關閉并鎖定驅動電壓輸出,MOS僅承受了動作時間內的恒流功率損耗,安全性得到了很大提高。

  此電路僅作為理解原理使用具體參數看實際工況選取。

  S級的電阻是根據你選定的MOS的IDM(Pulsed Drain Current留余量)選定的,至于跨導這個不是主要因數;這里三極管并不工作在開關狀態他只是根據MOS的瞬態電流值調整MOS的驅動電壓,保證在短路出現的時候IDM不至于超出安全工作范圍,這個時候由于在1US甚至更短的時間內驅動已經被關斷并鎖定,所以不存在過功損耗.三極管的反映時間越快越好.其實這個電路是電流負反饋電路演變過來的.電路如下:

  



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