b觸點型“PhotoMOS”的開發

　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優勢被廣泛了解，人們將其用于信息通信設備、OA設備、FA設備及其他廣泛的領域。為了滿足大眾進一步的需求，本公司開發出了“可通過機械實現、并擁有所有觸點構成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。

　　為實現該產品的開發，我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Doping Method)且高耐壓、低導通電阻的耗盡型功率MOSFET。

　　這種DSD法是在以往生產增強型功率MOSFET時所使用的雙重擴散法中，增加了可選擇性地將雜質部分擴散的技術，且該方法在補償溝道雜質濃度的同時，形成與基板濃度相同的低濃度的淺層。圖1為兩者賽璐珞部分截面構造圖的比較。

　　如圖2所示，該功率MOSFET在柵極電壓為0且為低導通電阻(Typ.18Ω)時，可保持良好的導通狀態，但是一旦在柵極施加微小的附加電壓，即會呈現出高耐壓(400V以上)的高絕緣性(低漏電流：1μA以下)(如圖3所示)。

　　這種高耐壓、低導通電阻性能原本為二律背反關系，故在傳統的增強型功率MOSFET中就已經需要高度的技術水平，因此該性能在耗盡型功率MOSFET中能夠得以實現可以說是具有了劃時代意義。

　　b觸點型PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器就是通過配備這種耗盡型功率MOSFET而實現的產品。對傳統的a觸點型PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器(AQV214)和b 觸點型PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器(AQV414)做一比較，可看出絕對最大額定值及其他性能均無大異。因此，可通過組合兩種產品來構成電路，使其在更廣泛的領域得以運用。

　　PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的種類及區別使用

　　如表1所示，PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器分為8大類，根據各類產品的特長可用于不同的領域。

　　小結

　　綜上所述，PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器不僅摒棄了傳統的機械型繼電器所負載的“靈敏度差”、“發出運作聲響”、“因開閉造成產品壽命有限”等缺陷，而且還具有一般的SSD可控硅輸出光電耦合器所不具備的高電壓控制、低導通電阻、b觸點回路、AD/DC兼用通電、低漏電流等卓越的特性，再加上其能被用于電信、通信設備、OA設備、自動檢針、防盜·防災設備、ME設備、測量儀器等廣泛領域，因此PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器在今后的高速發展將令人拭目以待!