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工程師分享:無熒光體雙波長白光LED分析

作者: 時間:2011-11-01 來源:網絡 收藏
sp; 一般AlGanInP系的VF值20mA時大約2V左右,InGaN系則高達3.3V,換句話說InGaN系雙波長白光,應用在攜帶型電子機器時,必需使用專用驅動IC

使用新型封裝方式的雙波長,并未調整LED的電流值,因此研究人員正在開發利用定電壓驅動發光組件,以及可以提高LED的演色性的封裝技術。

雙波長與紅光一起封裝,經過混色變成白光(圖9),然而如此一來各芯片彼此的VF值截然不同,隨著各的輝度、波長分布不同,必需進行復雜的電流值限制調整。

新開發的封裝方式

此外封裝后的散熱、硅膠也是有待克服的課題,因此研究人員正在開發全新的對策技術。

目前ψ3與ψ5炮彈型雙波長已經開始量產,今后將推出3mm與5mm正方SMD用雙波長

圖10是抑制色調分布與組件高度,制成的超薄型LCD背光照明模塊,如圖所示白光LED直接固定在薄型基板表面,接著再搭配特殊遮光罩,與超薄型導光板進行側邊發光,模塊總厚度只有0.25mm,非常適合移動電話等攜帶型電子機器使用。

超薄型背光模組

  結語

以上介紹新型雙波長白光LED。傳統紫外光+RGB熒光體,與RGB多芯片方式的白光LED,都有周圍組件容易劣化,或是波長漂移、控制復雜等問題。

新型雙波長白光LED,除了可以徹底解決上述困擾之外,超短混色距離與純凈的色調,提供LED下游應用廠商另一項選擇空間。未來如果順利改善封裝技術,與封裝后的散熱問題,雙波長白光LED可望在電子機器系統的薄型化,扮演非常重要角色。


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關鍵詞: LED LED芯片 白光LED

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