3、應用：

　　a)利用掃描電鏡檢測外延片生長后晶面的位錯腐蝕形貌信息；

　　晶面的位錯腐蝕形貌提供的意義：各個樣品的位錯腐蝕呈現不同的形狀和晶體所屬點群和晶體的結構所決定，化學腐蝕劑的作用就是破壞晶體內部分子和原子間相互作用鍵，鍵力較小的首先被破壞，從而形成某種特定形狀的腐蝕斑，因此良好的成像，已經腐蝕斑細節的完美呈現，能完全體現出晶體生長的質量形態。

　　提高外延晶格質量和降低材料缺陷，是生產出高性能及高可靠性LED器件的前提，否則通過其他途徑是難以彌補的。明確了LED外延材料晶體質量對器件可靠性的影響，通過對外延材料的質量控制，以期減少材料缺陷密度，提高外延層晶體質量和有效提高LED器件的可靠性。

　　b)封裝前的芯片檢驗：用光學顯微鏡檢查材料表面，確定是否有機械損傷及麻點、芯片尺寸及電極大小是否符合工藝要求，電極圖案是否完整。

　　c)LED芯片氧化厚度：檢測技術包括顏色比較、邊緣記數、干涉、橢偏儀、刻紋針振幅儀和掃描電子顯微鏡；

　　d)芯片晶圓結深的測量：掃描電鏡對LED芯片晶圓PN結結深的厚度檢測

　　e)掃描電鏡在LED芯片刻蝕過程中表面粗化工藝研究的應用：表面粗化技術解決因為半導體材料折射率（平均3.5）大于空氣折射率而使入射角大于臨界角的光線發生全反射無法出射所造成的損失。光在粗化表面的出射有很大的隨機性，需要大量實驗來研究粗糙度與粗化尺度對出光率的影響。光從高折射率的LED窗口層材料GaP入射到低折射率的空氣中，會產生全反射現象，而損失大量的出射光。用表面粗化法可以抑制全反射提高光提取效率。掃描電鏡能夠直接觀察表面粗化后樣品表面的結構，對比粗化處理前后表面的粗糙度。掃描電鏡景深大，圖象富有立體感，可觀察經過粗化處理的表面三維島狀結構。

　　三、蔡司光學顯微鏡及掃描電鏡在LED成品器件失效分析中的應用。

　　采用掃描電鏡和X射線能譜分析儀可以對由于熱過載引起的大功率發光二極管分層和發黑失效進行分析。分析結果表明,由于發光二級管的輸入電流增大,芯片結溫升高產生熱過載引起芯片與環氧樹脂透鏡之間出現熱應力失配,加之環氧樹脂材料容易受潮膨脹而產生應力,最終導致發光二極管在芯片表面與環氧樹脂的界面產生分層。與芯片表面接觸的環氧樹脂材料在高溫的作用下產生老化,降解后的環氧樹脂內部結構發生明顯改變,形成C的單質及其氧化物沉積在芯片表面,這是芯片表面發黑的主要原因