FED矩陣掃描功率放大電路的研究與設計
0 引 言
場致發射
如圖1所示,FED和大多數平板顯示器一樣,也是采用行列矩陣選址驅動工作方式,陽極加固定電壓,柵極作為行電極,陰極作為列電極,每個行列電極交叉點就構成了一個像素單元。陽極電壓由熒光粉所需的工作電壓決定,行電極是逐行或者隔行加上掃描電壓的,列電極加上視頻圖像信號,行列電壓差產生場電子發射,電子在陽極電壓的加速下轟擊熒光粉發光。行電極的功能就是尋址掃描,并在行掃描期間,匯集所有列的電流,提供系統所需功耗。如VGA系統,設計的目標是列驅動電壓脈沖幅度為100 V,電流脈沖幅度最大為6 mA,電子發射時行收集的電流最大為3.84 A,對于更高分辨率的系統來說這個數值還會更高,這對柵極高壓功率放大電路提出了大電流和相對較大電壓(100~200 V)的要求。這就要求在選擇高壓驅動晶體管或者MOS管的時候要充分照顧到電壓和電流的要求,并且穩定性要相當好。對于集成電路來說要滿足這個要求會更加的困難,因為集成電路的制作工藝限制,在市場上現在還找不到為FED驅動電流研制的專用芯片,借鑒PDP電路設計法,設計了一種基于PDP專用芯片 STV7696B的行集成系統。
實測FED陰極的逸出功典型值約為2 eV,實驗測試的FED陰極的發射電流典型值約為3 mA/像素,最小陰極發射面積為O.4 mm×O.4 mm。表1是印刷型FED顯示器的主要性能參數。
2 分立式矩陣掃描功率放大電路
基于分立式的矩陣掃描功率系統是CPLD可編程器件完成對主板提供的行信號進行譯碼,然后再經過高壓MOS管的功率放大,完成整個系統。其系統框圖如圖2所示。
高壓功率放大部分不僅要對前級的低壓掃描脈沖進一步拉高,同時還要提供電流負荷能力,這樣才能對列功率系統的灰度顯示提供足夠的電流。一般的晶體管和MOS管提供電流只有數百毫安,這對于系統來講可能會有提供功率不足的現象,所以功率型MOS管是該設計的最佳選擇。
如圖3所示,采用的是由功率型MOS管組成的推挽電路,低壓掃描脈沖進入到高壓驅動單元進行放大。電路工作時,兩只對稱的功率開關管每次只有一個導通,所以導通損耗小,效率高。圖3中MOS管Q1,Q2的參數相同,以推挽方式存在于電路中。當脈沖為高電平時,Q1管導通,Q2管截止,電路輸出低電平;當脈沖為低電平時,Q1管截止,Q2管導通,電路輸出高電平。通過兩只MOS管的交互導通,從而減低了功耗,提高了每個管的承受能力,適合于FED驅動大電流的要求。由電阻R2和二極管D3組成的并聯鉗位電路,目的是使MOS的導通速度加快。
3 集成矩陣掃描功率放大電路
3.1 STV7697B簡介
STV7697B是ST公司生產的一種專用于PDP的掃描驅動芯片,擁有一個頻率高達8 MHz的64位的級聯移位寄存器,可以實現64路高壓大電流輸出。通過級聯,可以實現任意的垂直像素。低壓部分邏輯控制采用5 V的電壓,高壓部分最大供電電壓為170 V,所有的輸入均與CMOS兼容。STV7697B同時還具有以下特點:
(1)峰值輸出電流一200/750 mA;
(2)最大源極輸出電流1 A;
(3)消隱信號控制;
(4)互補的輸出控制;
(5)100腳的TQFP封裝。
3.2 STV7697B驅動方案
圖4是芯片的工作時序波形圖,工作時SIN腳接收從控制板發出的掃描信號,極性傳輸方向選擇控制端F/R選擇傳輸方向,信號在行同步時鐘CLK的上升沿變化瞬間在移位寄存器中移位前進,在STB控制下移位寄存器的數據就放到鎖存器中,當BLK允許輸出時,信號經過內部功率放大器增益輸出相應的高壓信號。
FED矩陣掃描集成驅動電路設計采用的是FPGA芯片控制產生行驅動所需的控制信號,結合STV7697B芯片的內部結構以及時序要求。STV7697B 可級聯使用,實現矩陣掃描輸出,它的實際設計框圖如圖5所示。行電路工作時,每一個行周期內,高電平有效的SIN信號先從第一片STV7697B的SIN 端輸入,從芯片的SOUT端輸出,再與后一芯片的SIN端級聯。這樣,在行掃描脈沖CLK信號的周期內,掃描數據電平從第一個輸出端依次移位到最后一個輸出端,各信號經過內部功率放大器增益輸出相應行的掃描脈沖,加載到FED顯示屏行電極上。
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