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深度分析白光LED的散熱技術(二)

作者: 時間:2013-05-12 來源:網絡 收藏
高功率的散熱設計

  已經開始應用在一般照明與汽車等領域,投入的電力也從過去數十mW提高數W等級,因此發熱問題更加表面化。

  所謂熱問題是指隨著投入電力的增加,LED芯片的溫升造成光輸出降低。有效對策除了改善芯片的特性之外,搭載LED芯片的封裝材料與結構檢討也非常重要。樹脂封裝方式是目前市場的主流,由于樹脂的熱傳導率很低,因此經常成為影響熱問題的原因之一,目前常用對策是將金屬導入樹脂封裝結構,或是采用高熱傳導率陶瓷材料。

  LED高功率化必需進行以下檢討,分別是:

  (1)芯片大型化

  (2)大電流化

  (3)芯片本身的發光效率改善

  (4)高效率取光封裝結構

  其中最簡單的方法是增加電流量,使光量呈比例性增加,不過此時LED芯片產生的熱量會增加。圖7是電流投入LED芯片時的放射照度量測結果,如圖所示在高輸出領域放射照度呈飽和、衰減狀,主要原因是LED芯片發熱所致,為實現LED芯片高輸出化,必需進行有效的熱對策。

  接著介紹應用陶瓷特性的封裝技術。

  封裝的功能

  封裝主要目的是保護內部組件,使內部組件與外部作電氣性連接,促進發熱的內部組件散熱。對LED芯片而言,封裝的目的是使光線高效率放射到外部,因此要求封裝材料具備高強度、高熱傳導性與高反射性。

  陶瓷封裝的優點

  陶瓷材料幾乎網羅上述所有要求特性,非常適合當作LED的封裝。表2是主要陶瓷材料的物性,如表2所示陶瓷材料的耐光劣化性,與耐熱性比傳統環氧樹脂更優秀。

  目前高散熱封裝結構是將LED芯片固定在金屬板上周圍包覆樹脂,此時芯片材料與金屬的熱膨脹差異非常大,LED芯片封裝時與溫度變化的環境下,產生的熱歪斜極易引發LED芯片缺陷,造成發光效率降低、發熱等問題,隨著芯片大型化,未來熱歪斜勢必更嚴重。陶瓷材料的熱膨脹系數接近LED芯片,因此陶瓷被認為是解決熱歪斜最有效的材料之一。

  封裝結構

  照片1是高輸出LED用陶瓷封裝的實際外觀;圖8是陶瓷封裝的構造范例,圖中的反射器電鍍銀膜,可以提高光照射效率 。圖8(c)是應用多層技術,使陶瓷與反射器成形一體結構。

  深度分析白光LED的散熱技術(二)

  陶瓷封裝結構

  為了使發熱的LED芯片正常動作,必需考慮適當的散熱系統,這意味著封裝已經成為散熱組件的一部份。接著介紹有關散熱的處理方式。

散熱設計必需考慮如何使LED芯片產生的熱透過筐體釋放到外部。圖9是LED Lamp內部的熱流與封裝內側理想熱擴散模式。

  深度分析白光LED的散熱技術(二)

  如圖9右側實線所示,高熱擴散性封裝的內側(P~Q之間)溫度分布非常平坦,熱可以擴散至封裝整體,而且還非常順暢流入封裝基板內,因此LED芯片正下方的溫度大幅下降。

  圖10是利用熱模擬分析確認該狀態獲得的結果,該圖表示定常狀態溫度分布,與單位面積時的單位時間流動的熱量,亦即熱流束的分布狀況。由圖可知使用高熱傳導材料的場合,封裝內部的溫差會變小,此時并未發現熱流集中在局部,封裝內部的熱擴散性因而大幅提高。

  熱傳導率差異封裝

  陶瓷是由鋁或是氮化鋁制成,若與目前常用的封裝材料環氧樹脂比較,鋁質陶瓷的熱傳導率是環氧樹脂的55倍,氮化鋁陶瓷的熱傳導率是環氧樹脂的400倍。此外金屬板的熱傳導率大約是200W/mK,鋁的熱傳導率大約是400W/mK左右,要求高熱傳導率的封裝,大多使用金屬作base。
LED芯片接合劑的功能

  半導體芯片接合劑使用的材料有環氧系、玻璃、焊錫、金共晶合金等等。LED芯片用接合劑除了高熱傳導性之外,基于接合時降低熱應力等觀點,要求低溫接合、低楊氏系數等特性,符合要求的在環氧系有“添加銀的環氧樹脂”,共晶合金則有“Au -20% Sn”等等。

  接合劑附著在芯片周圍的面積幾乎與LED芯片相同 ,而且無法期待水平方向的熱擴散,只能期望垂直方向的熱傳導性。圖11是LED芯片至封裝背面的溫度差熱仿真分析的結果,如圖所示封裝使用氮化鋁陶瓷基板,與接合部溫度差,以及熱傳導性比添加銀的環氧樹脂還低的Au-Sn接合劑。

  深度分析白光LED的散熱技術(二)

  由于Au-Sn薄層化可以降低接合部的溫度差,同時有效促進熱的流動,因此業界普遍認為未來散熱設計,勢必要求接合劑必需具備高熱傳導性,與可以作薄層化接合等基本特性。

  今后散熱設計與封裝構造

  隨著散熱設計的進化,LED組件廠商的研究人員開始檢討LED Lamp至筐體的熱傳導,以及筐體至外部的熱傳導可行性;組件應用廠商與照明燈具廠商則應用實驗與模擬分析進行對策研究。

  有關熱傳導材料,封裝材料正逐漸從樹脂切換成金屬與陶瓷材料。此外LED芯片接合部是阻礙散熱的要因之一,因此上述薄形接合技術被視為今后檢討課題之一。

  有關提高筐體至外部的熱傳導,目前大多利用冷卻風扇與散熱鰭片達成散熱要求。不過基于噪音對策與窄空間化等考慮,照明燈具廠商大都不愿意使用熱交換器,因此必需提高與外部接觸面非常多的封裝基板與筐體的散熱性,具體方法例如利用遠紅外線在高熱傳導性銅層表面,形成可以促進熱放射涂抹層的可撓曲散熱膜片(film)。

  根據測試結果證實可撓曲散熱膜片的散熱效果,比大小接近膜片的散熱鰭片更高,因此研究人員檢討直接將可撓曲散熱膜片黏貼在封裝基板與筐體,或是將可以促進熱放射涂抹層,直接設置在裝基板與筐體表面,試圖藉此提高散熱效果。

  有關封裝結構,必需開發可以支持LED芯片磊晶(flip chip)接合的微細布線技術;有關封裝材料,雖然氮化鋁的高熱傳導化有相當進展,不過它與反射率有trade-off關系,一般認提高熱傳導性比氮化鋁差的鋁的反射特性,可以支持LED高輸出化需要,未來可望成為封裝材料之一。



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