MAXQ架構是一種基于標準Harvard結構、功能強大的單周期RISC微控制器，程序和數據存儲總線相互獨立。這種組織形式要求每個存儲器具有專用總線(圖1)，所以可同時讀取指令和操作數。由于不存在單條數據總線的沖突問題，MAXQ指令的執行時間僅需要單個周期。

圖1. Harvard結構

每個MAXQ器件采用以下存儲器類型：

閃存

SRAM

固定用途ROM

MAXQ器件也可從閃存、固定用途ROM或SRAM執行程序代碼。從某個存儲器段執行程序代碼時，其它兩個存儲器段可作為數據存儲器(更多詳細信息，請參閱從閃存執行程序和執行固定用途ROM函數部分)。這是因為程序和數據存儲器總線不能同時存取同一存儲器段。

有人可能認為采用Harvard結構的MAXQ微控制器也不能在非易失閃存中儲存數據。然而，MAXQ器件內嵌固定用途ROM函數，允許讀、寫非易失閃存數據。

從閃存執行程序

MAXQ器件中，從閃存執行應用程序時，數據存儲器為SRAM(讀和寫)和固定用途ROM(只讀)。從閃存執行代碼時，數據存儲器映射請參見表1，存儲器映射參見圖2。

SRAM數據存儲器在存儲器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

固定用途ROM在存儲器映射中位于地址0x8000至0x9FFFh (字節模式)或地址0x8000至0x8FFF (字尋址模式下)。

圖2. 從閃存執行應用代碼時的存儲器映射

執行固定用途ROM函數

執行固定用途ROM函數時，數據存儲器為SRAM(讀和寫)和閃存(讀和寫)。從閃存執行應用程序且變量或數據對象位于閃存時，可通過固定用途ROM函數讀或寫這些變量或數據對象。通過跳轉至執行固定用途ROM函數，即可將閃存作為數據進行存取。從固定用途ROM執行代碼時，數據存儲器映射請參見表2，存儲器映射參見圖3。

SRAM數據存儲器在存儲器映射中位于地址0x0000至0x07FF (字節尋址模式下)或地址0x0000至0x03FF (字尋址模式下)。

字節尋址模式下，CDA0 = 0時，閃存的低半部分在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh；CDA0 = 1時，閃存的高半部分在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFFh。字尋址模式下，閃存在存儲器映射中位于地址0x8000至0xFFFF。

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