美國應用材料公司(Applied Materials，AMAT)瞄準近年來需求高漲的功率半導體及MEMS器件市場，將強化200mm晶圓生產設備相關業務，將來還打算支持功率半導體領域的300mm晶圓及SiC/GaN的生產。

　　AMAT的主力業務歸根結底還是300mm晶圓相關設備，但該公司“也一直在致力于200mm設備的業務”(AMAT元件及系統部門全球服務總監田中豐)。除了銷售新的200mm設備之外，最近該公司還在開展對客戶擁有的200mm設備進行升級(改造)的服務，使這些設備能夠制造功率半導體及MEMS。該公司表示，其中尤其值得期待的是功率半導體領域。

　　作為200mm設備的新市場，功率半導體及MEMS器件領域值得期待。

　　IGBT的構造。要求實施厚膜外延及深溝道等工序。

　　制造Si-IGBT及超結MOSFET等功率半導體時，必須要使用厚膜的硅外延成膜設備、厚膜的鋁濺射(PVD)設備以及深蝕刻設備等。而且，要想以低成本制造功率半導體，改善處理能力也很有必要。

　　超結MOSFET的構造。除厚膜外延及深蝕刻外，還需實施填充溝道的間隙填充外延等工序。

　　瞄準功率半導體及MEMS器件領域的舉措田中介紹稱，面向功率半導體的200mm設備業務與300mm設備業務相比，“競爭環境大為不同”。300mm設備方面，AMAT的競爭對手是同行業的大型設備廠商，而200mm設備則不同，“免不了要與從事二手設備改造等業務的特定設備廠商競爭”。

　　這里說的特定廠商是指專門從事外延設備及濺射設備等特定設備的再生業務的廠商，其優勢是價格低。在功率半導體制造的部分工序中，這些廠商的設備足以滿足需求，因此AMAT面臨著殘酷的價格競爭。但在這些特定廠商的設備無法獲得充分特性的重要工序方面，AMAT則可發揮其技術優勢，尤其是在厚膜的外延成膜設備、鋁濺射設備及深溝道蝕刻設備等領域，AMAT可輕松發揮技術上的優越性。

　　具體而言，厚膜的外延成膜設備方面，AMAT計劃在2014年滿足進一步厚膜化的需求，并改善處理能力。雖然目前能實現的膜厚最大為100μm，但2014年將達到150μm，此外還將把成膜速度從目前的4μm/分鐘提高至5μm/分鐘。另外，在厚膜的鋁濺射設備方面，還打算在2014年內確立膜厚達到5μm、鋁成膜速度達到2μm/分鐘的技術。

　　此外，AMAT還將大力開發為超結MOSFET形成溝道的深溝道蝕刻設備、填充溝道的間隙填充外延設備、離子注入設備，以及厚度不到100μm的薄化晶圓的處理技術等。

　　將來的舉措方面，AMAT提到了支持300mm晶圓及SiC/GaN的生產需求的措施。業內普遍認為，在硅功率半導體領域，2～3年后部分器件將開始用300mm晶圓來制造。從目前看，估計有很多廠商不會購置新的300mm設備，而是對已有的300mm設備實施改造來制造功率半導體。為此，AMAT將積極展開準備工作，以便使在200mm設備中確立的面向功率半導體領域的技術能夠推廣到300mm設備。