3月4日，臺積電宣布有意增加1000億美元（當前約7288.74億元人民幣）投資于美國先進半導體制造。這筆資金將用于在美興建3座新晶圓廠、2座先進封裝設施，以及1間主要研發團隊中心。據悉，臺積電此前在美建設項目僅包括晶圓廠和設計服務中心，此次新投資補充了配套的先進后端制造能力。

臺積電董事長兼總裁魏哲家表示，我們擬增加1000億美元投資于美國半導體制造，這讓我們的計劃投資總額達到1650億美元。結合該消息可知，此前臺積電在亞利桑那州的650億美元投資僅覆蓋三座晶圓廠，而新增的1000億美元投資將額外建設三座晶圓廠，使臺積電在美國的總晶圓廠數量達到六座，并加上2座先進封裝設施，總投資額增至1650億美元。

圖片來源：臺積電

先進封裝：大廠技術布局與合作新篇

臺積電計劃興建的3座晶圓廠和2座先進封裝設施選址備受關注。目前雖未完全敲定具體地址，但從其過往在亞利桑那州建設晶圓廠的經驗來看，新廠大概率也會落子在美國半導體產業聚集區域，以便獲取人才、技術以及上下游產業鏈配套的便利。

此前，臺積電和Amkor安靠共同宣布，雙方已簽署合作備忘錄，安靠將為臺積電美國亞利桑那州廠房提供先進封裝測試服務，包括InFO和CoWoS，以滿足共同客戶的產能需求。近期Amkor官方最新消息顯示，該公司正在建設和TSMC Arizona配套的高級封測產能。

對于臺積電此番建設新的封裝廠是否會與安靠廠房形成新的競爭，行業更多的觀點趨向于不會，雙方在未來或會形成更密切的合作。主要原因方面，一是當前先進封裝產能市場缺口較大，隨著人工智能、高性能計算等領域的迅猛發展，對先進芯片的需求呈現出爆發式增長。

從需求端來看，云服務巨頭如亞馬遜AWS、微軟、谷歌、Meta等，對大型、高性能芯片的需求極為旺盛。這些企業在大數據處理、云計算、人工智能算法訓練等業務上的持續拓展，需要大量具備強大算力的芯片來支撐。譬如英偉達的多款高性能芯片對于CoWoS封裝需求較大，AMD的MI300系列加速器在將CPU和GPU組合時采用了SOIC技術，之后在集成高帶寬內存（HBM）時運用CoWoS技術等。

另一方面，則是先進封裝市場廣闊，臺積電與安靠及日月光合作密切，分工合作，正在共同推動先進封裝適配市場需求。行業消息最新顯示，臺積電已將CoWoS前段關鍵CoW制程、后段WoS制程委外給了日月光投控旗下矽品精密以及Amkor承接。市場預計，隨著先進封裝產能缺口持續擴大，日月光、安靠等將接受更多臺積電先進封裝的外溢訂單。

而從臺積電自己的“晶圓代工2.0”生態模式看，其已將包含封裝、測試、光罩等邏輯IC制造相關領域納入其晶圓代工業務范疇，晶圓代工和先進封裝的聯系日益密切。并且基于當代摩爾定律放緩，先進制程亟需破圈時刻，先進封裝更需接棒，臺積電更會扭好先進封裝和先進制程兩股繩，共同推動芯片性能提升。

除了臺積電以外，近期晶圓代工大廠格芯（GlobalFoundries）宣布，已在紐約馬耳他晶圓廠建造先進封裝和測試設施，以滿足硅光子學等關鍵終端市場芯片需求，預計設施投資5.75億美元。該項目受到官方支持，美國紐約州政府將提供2000萬美元的資金助力，此前美國商務部依據《芯片法案》已向格芯撥付15億美元的直接撥款，還有16億美元的貸款，部分資金也將用于支援此項計劃。

日月光方面，其近日則宣布，決定投入2億美元在中國臺灣高雄設立面板級扇出型封裝（FOPLP）量產線，預計今年第2季和第3季裝機，年底試產，若順利將于明年開始為客戶認證。另外，其在馬來西亞檳城第四廠和第五廠也在近日舉行了啟用典禮。

力成科技在日本的子公司Tera Probe也于今年1月末宣布，將在日本九州熊本縣投入50億日元（約合人民幣2.4億元），用于半導體檢測和量產測業務。資料顯示，力成科技擁有先進的晶圓級封裝技術，如FCCSP技術、BGA封裝技術、QFN封裝技術、SiP技術等。

安靠科技(Amkor Technology)旗下的越南安靠科技計劃將其北寧工廠的年產能從12億片翻倍至36億片。據悉，該公司自去年9月開始就在持續擴建，據悉新廠擴建后將更加專注于先進的系統級封裝 (SiP) 和HBM內存集成，并將提供從設計到電氣測試的交鑰匙解決方案。

先進制程：多方工藝突破與競爭角逐

公開資料顯示，臺積電目前規劃在亞利桑那州建設三座晶圓廠，總投資額高達650億美元。其中第一座晶圓廠已于2024年第四季度開始大規模生產4nm工藝（N4P）芯片。

第二座晶圓廠方面，據臺積電供應鏈獲悉，未來將供應3nm產能的TSMC Arizona第二晶圓廠目前已完成主體廠房建設，正進行內部無塵室和機電整合工程，預計2026年一季度末開始工藝設備安裝。從時間表來看第二晶圓廠有望2026年底試產，2027下半年量產，進度快于此前公布的2028年投產。

第三座晶圓廠建設上，早在2月中上旬，臺積電發布新聞稿時就表示，臺積電計劃在亞利桑那菲尼克斯建設的第三晶圓廠Fab 21p將于今年年中動工。該晶圓廠將包含2nm和A16節點制程工藝，原計劃該廠將于2029年末投產，隨著動工時間提前，目前有望提前至2027年初試產、2028年量產。

據悉，臺積電在此次新增的1000億美元投資中明確提到，新增3座晶圓廠將采用“2nm或更先進制程”，預計2029~2030年間量產。具體信息還有待進一步披露。

值得注意的是，近日據行業媒體最新消息，臺積電在日本熊本縣的第二座晶圓廠，原計劃2025年一季度動工，現調整為2025年內動工，盡管2027年底投產的目標保持不變，但這已是該項目第二次推遲動工時間，此前已從2024年延至2025年一季度。

對此，行業人士消息顯示，臺積電日本工廠動工時間調整或受到其全球晶圓廠建設進程有所側重影響，即優先推動美國晶圓廠建設，而后再推動日本工廠建設。

近期，業界傳出臺積電新竹寶山廠今年內2納米制程月產能有機會達2.5萬片，對此臺積電雖不予評論，但強調2納米制程技術進展良好，將如期在今年下半年量產。市場預期，順利量產后，臺積電新竹與高雄兩地會加快提升2納米制程月產能，年底前合計上看5萬片，若第二階段進展順利，有機會邁向8萬片。

在先進制程領域，值得關注的還有英特爾。近日，英特爾宣布其位于俄亥俄州的尖端芯片制造基地投產時間大幅推遲。據悉，這座于2022年宣布建設的芯片廠，原計劃2025年投產，初期投資約280億美元，總投資高達約1000億美元。如今這座晶圓工廠投產時間從原計劃的2025年推遲至2030年，第二座工廠預計延至2032年投產。

公開資料顯示，這已經是該項目的第二次延期，此前在2024年3月，英特爾曾將完工時間從2025年調整至2026~2027年。英特爾全球運營執行副總裁錢德拉塞卡蘭表示，延期決策基于“市場需求匹配”和“資本開支優化”的雙重考量。

在技術層面，英特爾一直在努力追趕先進制程工藝。其18A制程芯片備受業界關注。今年2月下旬，英特爾宣布，其18A制程節點（1.8納米）已經準備就緒，并計劃在今年上半年開始設計定案。

英特爾硅光子集團首席項目經理Joseph Bonetti近日在LinkedIn軟件上發文稱，英特爾將憑借Intel 18A與High-NA EUV重新奪回工藝技術領先地位，且英偉達和博通都在與英特爾進行制造測試。另外，AMD也在評估英特爾的18A制造工藝是否適合其需求。此前該公司就表示，公司已經與微軟和亞馬遜簽署了基于18A生產芯片的協議。

據悉，英特爾18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務器CPU。

公開資料顯示，英特爾18A制程的兩大關鍵技術為RibbonFET全環繞柵極晶體管和PowerVia背面供電技術。RibbonFET實現全環繞柵極（GAA）架構，與傳統鰭式場效晶體管（FinFET）相比，能更精準控制電流，降低功耗與漏電，且通過垂直堆疊晶體管溝道，減少空間占用，提升性能并賦予芯片設計更高靈活性。

PowerVia背面供電技術改變芯片布線邏輯，實現電源線與互連線分離，使晶體管供電路徑更直接，減少信號串擾與功耗，測試顯示其可將平臺電壓降低優化30%，還能提升芯片內部空間利用率，實現6%的頻率增益和超90%的標準單元利用率。據悉，英特爾還計劃在Intel 18A之后推出采用High-NAEUV光刻技術的Intel 14A制程，進一步推動晶體管微縮。

近日英特爾深陷分拆疑云，行業多方消息表示，臺積電和美國博通或許會分別接手其制造業務和設計營銷業務。對此消息，三方均未明確回應。此番英特爾能否依托其在先進制程上的破局扭轉局勢，市場還在持續關注。