韓國媒體MeyyToday報導，存儲器大廠三星將第六代10納米級1cDRAM制程開發延后六個月到6月才完成。 三星之前宣稱第六代10納米級1cDRAM制程2024年底開發完并量產，但良率沒有提升，導致時程再延后半年，這會使預定下半年量產的第六代高頻寬存儲器（HBM4）一并延后。

報導引用市場人士說法，三星第六代10納米級1c DRAM制程遇到困難。 盡管市場在2024年底左右，獲得了三星送交的第一個測試芯片，但因為無法達到預期的良率，因此將預定開發完成的時間延后六個月。 而在這六個月中，三星預計將良率提升到約70%。 根據過往業界的經驗，每一代制程的開發周期通常落在18個月左右。 但是，三星于2022年12月開發出第五代10納米級1bDRAM制程，并于2023年5月宣布量產之后，就一直沒有1cDRAM狀況的消息。

如果第六代10納米級1cDRAM制程從開發完成到量產的時間約為正常的6個月時間，則三星實際量產的時間預計將在2025年底。 而這樣的時程，幾乎也影響了三星當前正面臨生死關頭的HBM產品的發展。 以1cDRAM制程為例，其核心產品是以DDR5內存為主，而HBM則是其衍生產品，開發時間會落后核心產品的時間。 這代表著一旦核心產品延后到2025年底量產，HBM量產可能會在2025年之后進行。 這相較于三星先前宣布將于2025年下半年將1cDRAM制程用于HBM4、并量產的情況有所改變，也影響三星HBM市場競爭力。

三星計劃上半年全力投入六代10納米級1cDRAM制程，以盡快提高良率。