中國科技公司應專注于傳統芯片和3D封裝技術，而非前沿工藝節點。

由于美國積極阻止中國獲取最新技術，華盛頓已停止向中國出口先進芯片及芯片制造工具。受到這一技術封鎖的影響，據DigiTimes Asia報道，中國半導體行業協會集成電路分會會長兼中國集成電路創新聯盟秘書長葉甜春鼓勵企業在成熟節點和后端技術上進行創新。這一焦點應優先于追趕英特爾、英偉達和臺積電等西方和西方盟國的半導體公司。

雖然中國正在努力開發國產芯片，例如中國CPU制造商龍芯在4月發布了性能與第十代英特爾芯片相當的處理器，但其性能仍至少落后于AMD、英特爾和高通的最新芯片五年。美國還阻止ASML為中國的光刻系統提供服務，這對中國頂級晶圓代工廠中芯國際（SMIC）產生了負面影響。

中國的上海微電子裝備集團（SMEE）已經在制造光刻設備，另一家公司北方華創也在努力進入該行業。然而，它們在生產最新節點芯片的能力上仍遠遠落后于ASML。如果中國在三到五年內無法克服這些挑戰，它將面臨在尖端芯片領域落后于西方競爭對手的風險。

葉甜春認為，中國可以開辟一條通向技術領先的新道路。他建議中國公司應專注于更加成熟的節點和架構創新，而不是追隨全球頂級芯片制造商如臺積電在納米工藝上的競爭。

畢竟，臺積電每年生產的1200萬片12英寸晶圓中，近80%使用的是較老的節點，而不是最新的系統級芯片（SoC）的尖端設計。美國的制裁使中國成為成熟節點芯片的領導者之一，因此中國應充分發揮其核心優勢，轉向生產高質量的傳統芯片，這些芯片是大多數電氣和電子設備所需的。

葉甜春還建議聚焦于架構創新和后端工藝。隨著摩爾定律表明3nm和2nm芯片在當前架構上遇到限制，像Arm和三星這樣的公司正在尋求新的進步，以最大化晶體管密度。由于中國半導體公司仍需幾年時間才能達到這一技術水平，他表示應考慮從7nm開始進行架構創新。芯片設計師應與系統封裝公司合作，交付這些創新，從而在這一領域獲得比較優勢。

許多中國科技公司希望追隨納米技術競賽，而這些領域早已被英特爾、AMD、英偉達和高通等公司主導。然而，在美國的層層阻撓下，中國將很難追趕這些科技公司。因此，中國科技公司應開辟自己的道路，為美國及其盟友忽視的技術創造創新。