英飛凌已達成協議，將在 2027 年之前向中國電動汽車制造商小米提供先進的功率半導體，以進軍中國及其他地區不斷增長的電動汽車市場。

英飛凌科技股份公司今日宣布將為小米汽車最新發布的 SU7 智能電動汽車供應碳化硅（SiC）HybridPACK Drive G2 CoolSiC 功率模塊及芯片產品至 2027 年。英飛凌的 CoolSiC 功率模塊可適應更高的工作溫度，從而實現一流的性能、駕駛動力和壽命。例如，基于該技術的牽引逆變器可進一步增加電動汽車續航里程。HybridPACK Drive 是英飛凌市場領先的電動汽車功率模塊系列，自 2017 年以來已累計出貨近 850 萬顆。

英飛凌為小米 SU7 Max 版供應兩顆 1200 V HybridPACK Drive G2 CoolSiC 模塊。此外，英飛凌還為小米汽車供應滿足不同需求的其它廣泛產品，例如不同應用中的 EiceDRIVER 柵極驅動器和 10 款以上的微控制器。

小米是全球第三大智能手機制造商，于三月份開始銷售其首款電動汽車。該公司旨在通過其高端 SU7 Max 撼動電動汽車市場，其售價為 299,900 元人民幣，而特斯拉 Model S 的售價為 684,900 元人民幣，保時捷電動車的售價為 150 萬元人民幣。

英飛凌汽車電子事業部總裁 Peter Schiefer 表示：「我們很高興能與小米汽車這樣新興蓬勃的汽車品牌建立合作，為其提供能夠進一步提升電動汽車性能的碳化硅器件產品。作為汽車行業的領先供應商，我們提供廣泛的產品組合，對不同系統有著深刻的理解，且擁有多個生產基地，能充分助力未來移動出行。」

小米電動車副總裁兼供應鏈總經理黃振宇表示，與英飛凌的深化合作不僅「有助于穩定小米電動車的碳化硅供應，也有助于我們打造高性能、安全可靠的電動車。為我們的客戶提供具有領先功能的豪華車。」

根據國際能源署的數據，去年全球電動汽車銷量接近 1400 萬輛，其中 95% 來自中國、歐洲和美國。IEA 表示，中國是最大的電動汽車市場，占 2023 年新電動汽車注冊量的近 60%。近 25% 的電動汽車銷量來自歐洲，10% 來自美國

隨著電動汽車和綠色能源的加速采用推動需求，全球碳化硅芯片競賽正在升溫。SiC 是一種寬帶隙材料，這意味著它可以承受高電壓和高溫。這些芯片用于電動汽車充電應用、逆變器和儲能系統，以及風力渦輪機等綠色能源領域。

英飛凌正在擴大其在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫的碳化硅生產，并簽署了向汽車制造商 Stellantis、現代汽車和起亞提供此類芯片的協議。

多家芯片制造商正在關注中國的汽車相關半導體市場。美國芯片制造商英偉達早些時候表示，將深化與一系列中國電動汽車制造商的合作關系，其中包括比亞迪，以開發專為人工智能和自動駕駛應用而設計的先進的下一代車載計算芯片平臺。

意法半導體于 2023 年與三安光電成立了一家合資企業，在四川省重慶市生產 SiC 芯片，計劃于 2025 年投產。意法半導體還與中國電動汽車制造商理想汽車簽署了供應 SiC 芯片的長期協議。

車規芯片大廠正在部署新產能

為應對汽車芯片需求增加，海外車規芯片大廠正在部署新產能。2022 年，德州儀器便計劃在此后約 10 年里在美國增加 6 處生產基地。2024 財年，英飛凌計劃投資于馬來西亞居林基地的工廠，該工廠將生產第三代半導體碳化硅和氮化鎵功率半導體，還將投資于德國建設工廠，以生產模擬/混合信號元件和功率半導體。2023 年 5 月，英飛凌在德國德累斯頓計劃投資 50 億歐元的 12 英寸晶圓廠動工。同年，博世、英飛凌、恩智浦和臺積電還決定共同投資位于德國德累斯頓的工廠，總投資超 100 億歐元。

SEMI（國際半導體產業協會）相關報告稱，博世、英飛凌、意法半導體等供應商加速 8 英寸產能建設，預估 2023 年至 2026 年，全球 8 英寸晶圓廠將增加 12 個，汽車和功率半導體的 8 英寸廠產能將增加 34%。

車規芯片中，IGBT、MOSFET 這類功率半導體是布局重點。東海證券研報稱，2022 年新能源車單車 IGBT 價值 1902 元，電動化程度加深還將推動 IGBT 單車價值增長。記者從業內人士了解到，IGBT 模塊占整車成本可達 7%，是一類核心部件。不僅英飛凌等海外廠商在布局，國內廠商也在推動國產化，國內 IGBT 和 MOSFET 廠商還參與第三代半導體碳化硅對硅基替代的風口。

國內車規功率半導體主要供應商包括比亞迪半導體、斯達半導體、士蘭微和中車時代等。2023 年，斯達半導體與深藍汽車共建的車規級模塊生產基地項目落地重慶，將生產大功率車規 IGBT 和碳化硅模塊。當年 11 月，比亞迪半導體在紹興的功率器件和傳感控制器件研發及產業化項目一期竣工，一期將生產車用功率器件、傳感控制器件，該項目總投資 100 億元。