近日，浙大杭州科創(chuàng)中心官微發(fā)文稱，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心（簡(jiǎn)稱科創(chuàng)中心）先進(jìn)半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室（簡(jiǎn)稱聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室）首次生長(zhǎng)出厚度達(dá)100 mm的超厚碳化硅單晶。

文章指出，為提升碳化硅晶體厚度，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室開(kāi)展了提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生長(zhǎng)超厚碳化硅單晶的研究（圖1a）。   

source：先進(jìn)半導(dǎo)體研究院

采用提拉式物理氣相傳輸法，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出直徑為6英寸（即150mm）的碳化硅單晶，其厚度突破了100mm。測(cè)試加工而得的襯底片的結(jié)果顯示，該超厚碳化硅單晶具有單一的4H晶型（圖2a）、結(jié)晶質(zhì)量良好（圖2b），電阻率平均值不超過(guò)～ 30 mΩ·cm。

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