據美國政府官方聲明，臺積電已與美國商務部達成不具約束力的初步條款備忘錄（PMT）。臺積電將獲得最高可達66億美元的直接資金補貼，根據初步協議還將向臺積電的晶圓廠建設提供最高可達50億美元的貸款。同時，臺積電計劃向美國財政部就TSMC Arizona資本支出中符合條件的部分，申請最高可達25%的投資稅收抵免。

臺積電方面承諾在亞利桑那州設立第三座晶圓廠，有助于提高產量，滿足市場對高性能芯片的需求，進而在亞利桑那州打造一個前沿半導體集群。另外，這將有助于臺積電在應對地緣政治風險和供應鏈挑戰方面發揮更大作用。

臺積電在美的整體投資將超650億美元，可在十年間為亞利桑那州當地創造6000個直接工作崗位和數以萬計的間接崗位，此外還有累計超20000個的相關建筑業崗位。

現階段，臺積電正在當地興建兩座晶圓廠。不過，因為包括資金補助在內的種種問題，2023年臺積電宣布在亞利桑那州建設的兩座廠房中，晶圓一廠(Fab21)的啟用時間從2024年推遲到2025年。2024年1月，又宣布原定于2026年開始營運的晶圓二廠，要等到2027或2028年才會進行量產作業。

其中，晶圓一廠將提供4nm FinFET產能，晶圓二廠則將在3nm工藝外再引入2nm GAA工藝。兩座晶圓廠完工后，合計將年產超過60萬片晶圓，換算至終端產品市場價值預估超過400億美元。

第三座晶圓廠預計將于2030年投入運營，采用2nm或更先進的制程技術進行芯片生產。第三座晶圓廠的設立計劃將使臺積電在亞利桑那州鳳凰城據點的總資本支出超過650億美元，該據點為亞利桑那州史上規模最大的外國直接投資案。

根據先前路透社的報導指出，臺積電計劃擴大在美國亞利桑那州的投資設廠，預計將會興建達6座晶圓廠。對此，當時臺積電雖然回應亞利桑那州建廠計劃依原訂計劃執行。然而，臺積電總裁魏哲家先前也曾表示，臺積電在亞利桑那州已取得大范圍的土地以維持彈性，進一步擴建是有可能的，但必須根據營運效率、成本效益，及客戶需求來決定下一步計劃。

美國芯片法案目前資金分配情況

此前英特爾也與美國商務部簽署了類似的條款備忘錄，涉及至多85億美元直接補貼和110億美元貸款。