供應鏈高管表示，隨著臺積電和英特爾等公司將當前生產技術推向極限，新材料和更先進的化學品將在芯片制造行業發揮越來越重要的作用。

Entegris 和默克公司的高管接受日媒采訪，討論了隨著摩爾定律（晶體管將繼續縮小、芯片變得更強大的前提）放緩，全球芯片競賽如何演變。

美國芯片材料制造商 Entegris 首席技術官 James O'Neill 表示，在實現先進生產工藝方面，占據中心位置的不再是芯片制造機器，而是先進材料和清潔解決方案。

「三十年前，一切都與光刻設備有關，以使芯片上的晶體管更小并提高設備性能，」O'Neill 說。光刻是指將集成電路印刷到芯片上的關鍵芯片制造工藝。機器打印這些電路的精細程度通常決定了芯片的先進程度。「今天，我認為材料創新是提高性能的主要驅動力這一說法是可靠的，」首席技術官補充道。

默克電子業務首席執行官凱·貝克曼 (Kai Beckmann) 也表達了同樣的觀點。貝克曼說：「我們正在從過去二十年（芯片制造）工具對于推進技術最重要的時代轉向下一個十年，即我們的客戶所說的材料時代。工具仍然很重要，但現在材料決定了一切。」

貝克曼表示，現在不僅對于處理器和其他邏輯芯片（所謂的電子設備大腦）來說是一個關鍵時刻，對于包括動態隨機存取存儲器（DRAM）和 3D NAND 閃存在內的存儲芯片領域來說也是如此。

對于處理器芯片，到 2025 年大規模生產 2 納米節點的競賽已經開始，臺積電、三星和英特爾等巨頭處于領先地位。根據各種開發路線圖，更復雜的芯片也可能即將出現。

與此同時，三星、SK 海力士和美光等存儲芯片巨頭正在利用 3D NAND 閃存攀登新高度，目標是最終生產出多達 500 層的芯片。這三家公司目前生產的芯片層數超過 230 層，并正致力于在一到兩年內生產超過 300 層的 NAND。具有更多層的芯片被認為更先進，因為它們提供更大的存儲容量。3D DRAM 技術也在不斷發展。

這兩個領域的進一步進步不僅需要先進的工具，還需要全新的尖端材料庫。例如，邏輯芯片生產躍升至 2 納米，需要全新的芯片架構。在這種稱為環柵 (GAA) 的新配置中，晶體管以比早期平面配置更復雜的三維方式堆疊。

O'Neill 將化學物質應用于三維晶體管比作類似于「從直升機上給紐約市噴漆。您需要能夠控制建筑物頂部、建筑物側面和街道高度的材料屬性。你需要確保你所需要的那種統一性，以便在你完成之后能夠清理街道。」O'Neill 說，開發用于新型晶體管配置（例如環柵）的材料需要創新材料「將頂部、底部和側面均勻地涂覆」，并補充說，該行業正在工程方法「在原子尺度上」做到這一點。

化學品變得越來越重要的另一個方面是確保質量的一致性。O'Neill 表示，生產良率（即給定批次中生產的功能芯片的百分比）對于確定哪些廠商具有商業競爭力變得極其重要。高純度化學品對于確保完美生產和最大限度減少缺陷至關重要。

默克公司的貝克曼給出了該行業材料演變的另一個例子：銅在當前芯片制造工藝中被廣泛用作導電層，但為了制造更小、更先進的芯片，該行業正在探索鉬等新材料。「你需要一套全新的材料，才能使尖端芯片的節點變得更小，」他說。

持續創新并不便宜。據芯片行業咨詢公司 International Business Strategies 估計，單片 2 納米晶圓成本高達 3 萬美元，比上一代（即 iPhone 15 Pro 使用的 3 納米先進處理器）高出 50%。一座 2 納米半導體制造工廠每月可生產 50,000 片晶圓（WSPM），成本約為 280 億美元。這比 3nm 晶圓廠的成本高出 80 億美元。

芯片材料制造商預測，隨著美國、中國、歐洲、日本和印度等國政府的大力支持，半導體巨頭將繼續擴大規模，而芯片的巨大成本正是其中一個推動在岸半導體生產的原因。后來者要進入這場競賽并不容易，而今天的領跑者預計不會有人退出。

Entegris 首席執行官 Bertrand Loy 表示：「這是一個資本高度密集的行業。我預計同樣的力量會繼續前進。大公司只會變得更強，他們會愿意繼續投資，因為這將是他們競爭優勢的來源。」