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“薄膜生長”國產實驗裝置在武漢驗收

作者: 時間:2023-10-27 來源:SEMI 收藏

據武漢市科技局官微消息,日前,芯片生產中的重要設備——“”實驗裝置在武漢通過驗收,這項原創性突破可提升芯片質量。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202310/452147.htm

據悉,是芯片生產的核心上游。這套自主研制的“”國產實驗裝置,由武漢大學劉勝教授牽頭,聯合華中科技大學、清華大學天津高端裝備研究院、華南理工大學、中國科學院半導體研究所、中國科學院微電子研究所等多家單位,歷時5年完成。

這套“薄膜生長”國產實驗裝置由“進樣腔”、“高真空環形機械手傳樣腔”等多個腔體和“超快飛秒雙模成像系統”、“超快電子成像系統”等多個構件組成。據武漢大學副研究員吳改介紹,這套裝置將硅、藍寶石等襯底放入進樣腔,通過“高真空環形機械手”將襯底轉運至功能不同的腔體,實現襯底的預處理、薄膜生長、等離子體清洗等過程。



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