昨天（18 日），英特爾宣布推出業界首款用于下一代先進封裝的玻璃基板，計劃于 2026~2030 年量產，憑借單一封裝納入更多的晶體管，預計這將實現更強大的算力（HashRate），持續推進摩爾定律極限，這也是英特爾從封裝測試下手，迎戰臺積電的新策略。

英特爾稱該基板材料是一項重大突破，可解決有機材質基板用于芯片封裝產生的翹曲問題，突破了現有傳統基板的限制，讓半導體封裝晶體管數量極限最大化，同時更省電、更具散熱優勢，將用于更高速、更先進的數據中心、AI、繪圖處理等高端芯片封裝。

英特爾指出，該玻璃基板可以承受更高的溫度，圖案變形減少 50%，并具有超低平坦度，可改善曝光深焦，并具有極其緊密的層間互連覆蓋所需的尺寸穩定性。

業者指出，玻璃材質的芯片基板，受惠于低間距及更小的膨脹系數，生產制程具優勢，預計相關芯片最早可在 2024 年年底前生產，搶攻大型數據中心 GPU 及加速器市場。

英特爾以先進封裝延續摩爾定律至 2030 年，從系統級單芯片（SoC）轉向系統級封裝（system-in-package），導入嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）封裝技術、邏輯芯片 3D 堆疊封裝技術（Foveros），此外，新開發的 3D 封裝技術 Foveros Omni、Foveros Direct 也準備投入量產。

英特爾開發先進封裝技術，一方面能夠提升芯片密度，目標到 2030 年在一個封裝中，實現 1 兆個晶體管。另一方面，可以滿足自家產品、代工客戶產品的異質整合需求，提高晶粒（Chiplet）靈活性、并降低成本和功耗。

該公司看好玻璃材質的剛性以及較低的熱膨脹系數，英特爾院士暨組裝與測試總監 Pooya Tadayon 指出，玻璃基板有很大優勢，用來降低連接線路的間距，適用于大尺寸封裝。

Pooya Tadayon 表示，使用玻璃材料能夠提高芯片供電效率，互連密度可以提高 10 倍，將帶寬近翻倍提升至 448G。他強調，玻璃基板將逐漸普及，并與有機材質基板共存。

英特爾計劃于 2026~2030 年進入量產階段，相關業者表示，目前處在實驗、送樣階段，加工穩定性仍有待改善。不過法人就先進封裝市場依舊保持樂觀，并認為市場將快速增長。目前，先進封裝多數應用在包括英特爾、AMD 和英偉達的數據中心芯片，估計 2023 年合計出貨量 900 萬個。

英特爾已規劃 2024 年主流 NB 用 CPU 平臺 Meteor Lake，導入先進封裝 Foveros 技術，在 interposer（中間層）上使用 4 個芯片，預估 2024 年使用先進封裝芯片將 10 倍數增長至 9000 萬個。

未來，在低延遲和線下使用需求推動下，更可能進一步使用在手機端推理芯片，大量參數的 LLM 模型需要手機端裝上更大面積先進封裝的芯片，最快 2025 年可能導入 5.5 億支高端機種，市場需求充滿想象。

對攻臺積電

這一突破性成果是英特爾為其美國晶圓代工廠增強先進封裝能力的另一個跡象，也是英特爾迎戰臺積電的新策略。

臺積電的亞利桑那州晶圓廠計劃生產 4nm 和 3nm 芯片，但目前并無在亞利桑那州或美國境內打造封裝廠的計劃，主要卡關因素是成本高昂，因此，這些先進芯片不會在美國完成封裝。

英特爾先進封裝資深經理 Mark Gardner 于今年 5 月份指出，英特爾芯片制造工廠和組裝、測試、封裝站點分布在世界各地，而臺積電大部分芯片制造設施都在臺灣地區，英特爾的優勢在于提供安全供應鏈、分散地緣風險，也可提供客戶部分 IDM 流程，彈性選擇。

Gardner 稱：「英特爾晶圓制造服務愿意讓客戶只使用服務的一部分，也就是說，他們可以委托其它晶圓代工廠生產芯片，英特爾只做封測。」

業界分析，英特爾下一代玻璃基板先進封裝解決方案，可提供更大面積、更具效能的封裝服務，此舉將掀起全球半導體封裝新一波革命，與日月光、安靠等專業封測廠一較高下。

雖然沒有透露合作的供應鏈名單，但英特爾表示，其投入玻璃基板相關研發，并與材料及設備廠緊密合作，希望建構相關生態系。也認為即使有了玻璃基板方案，未來也會跟有機基板方案持續共存，并非完全取代。

業界：量產技術仍不成熟

對于英特爾的玻璃基板，PCB 載板廠商表示，量產技術仍不成熟，該技術是否有出?？谌孕栌^察。

載板先前市場已有耳語玻璃基板，目前核心層本來就有特殊玻璃材料且內含在 PCB 載板，但相關技術仍不成熟，仍在實驗室技術開發中。

業界預期，相關技術將在成熟后才能搭配 ABF 載板或硬板，而且，如果是涉及玻璃基板的封裝段則是硅中間層或其它材質的變化，實際和 PCB 載板廠商生產制程較無關，而是封裝部分的材質流程變化。