市調機構集邦半導體研究處資深分析師喬安表示，明年影響半導體的四大因素包括全球通膨、中國清零、美國對中國新禁令、半導體在地化等。其中，晶圓代工龍頭臺積電受惠于漲價及3nm量產，明年營收可望成長7％～9％，并帶動全球晶圓代工產值成長2.7％。

對于美國擴大對中國半導體產業限制及發布新禁令，喬安以「扼殺先進、遞延成熟」形容，在設備部份將沖擊中國的晶圓廠擴產，不過臺積電南京廠擴產已快完成，并且取得一年寬限期較不受影響。

至于美國發布對中國的高階高效能運算（HPC）芯片出口禁令，輝達及超威銷售受限為間接影響，但中國市場訂單流失為直接影響。

因為全球地緣政治風險升高，半導體在地化已成為各地區主要政策，各地區以補貼吸引晶圓代工投資設廠，但集邦認為，中國臺灣在先進制程仍居舉足輕重地位，但各國成熟制程產能陸續開出，將為市場帶來挑戰。再者，半導體廠商會更積極展開特殊制程多元化布局，與競爭對手做出差異化。

由于英特爾宣布進入晶圓代工市場，中國半導體廠亦擴大晶圓代工產能，喬安認為，2023年中國臺灣晶圓代工市占約47％，但2025年將降到44％，這段期間當中，中國占比將由25％提升至28％，美國則由6％提高至7％。

集邦預估晶圓代工營收去年成長約26％，今年可望成長28％，而明年因為半導體生產鏈仍在進行庫存調整，但臺積電受惠于漲價及3nm量產，明年營收可望成長7%～9％，在臺積電帶動下，明年全球晶圓代工營收仍可維持成長態勢，預估年成長率可達2.7％。

先進制程的競爭亦是明年半導體市場重要議題，喬安認為，明年仍然只有臺積電與三星在先進制程相互競爭，廠商主要著重在3nm良率改善與延伸制程，在新一代的環繞閘極晶體管（GAA）架構部分，三星已在3nm制程先行導入，臺積電則預期會在2nm導入。